公司推出了一系列FREDFET(H-FREDFET)具有**恢复体二极管的MOSFET管，属于其--一代功率MOS 8产品线，面向多种500 V和600 V应用，包括AC-DC离线电源、马达驱动器、服务器和电信电源系统、太阳能逆变器、单相及三相电弧焊和等离子切割设备、电池充电器、半导体资本设备和感应加热。医疗设备方面包括磁共振成像(MRI)和计算机化X射线轴向分层造影(CT)。

  与早期的器件相比，**的制造工艺降低了MOS 8产品的热电阻，使每个裸片尺寸和封装类型可承受更高的额定电流。电容和栅电荷的降低可实现较高的转换频率和较低的开关损耗。MOS 8 H-FREDFET具有MOS 8 FREDFET的所有特点与优点，低导通电阻RDS(on)，体二极管的恢复速度小于或等于200ns。这些器件在寄生二极管承载正向电流的应用中具有极好的耐用性和可靠性，如常用的零电压转换(ZVS)桥拓扑。所有MOS 8 H-FREDFET器件都经过100%雪崩能量检测，所用封装皆符合RoHS指令。

  在过去的10年中，电源拓扑结构发生了根本变化。现在各种电源供应，使重型和笨重的50 / 60赫兹电源变压器不再必要。这些变压器代表了传统电源的体积和重量的主要部分.。

  今天，他们已与更小和更轻的变压器更换，其核心材料包括烧结铁氧体代替硅钢片可操作起来到250kHz。对于相同的额定功率，高频操作大大降低了变压器的重量和体积。这种发展已经被新的显著影响，**开关功率晶体管，如MOSFET或IGBT，在高阻断电压工作（VCES > 600 V）。然而，几乎所有的拓扑结构配备这些晶体管也需要超快二极管进行无功负载电流，并纠正交流输出时，直流电压是必需的。这些二极管的开关行为必须针对匹配晶体管的开关特性。这不仅是真正的开关电源，但也为逆变电路。这些逆变器厂商选择了PWM频率约为8千赫来创建一个平滑的输出电流波形或用PWM频率20千赫为高于可听级以上。除了对晶体管的开关特性，对国家和对续流二极管的动态特性有显著影响的功率损耗，效率和整个设备的运行安全度。他们还发挥了决定性的作用，当它涉及到提高开关电源的效率和降低逆变器的损耗，其中明确规定，使用超快二极管。