海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！

快恢复二极管所采取的技术方案，各家大同小异，概括起来有以下3个基本点。
(1)外形与IGBT和功率MOSFET等现代电压控制型器件的外形相匹配，均为方片，终端采用场板或场限环结构。
(2)内部结构普遍采用单层外延或双层外延(双基区)结构。采用扩散型结构的也有，如IXYS的SONIC二极管，其--特点是采用了电子辐照+ He++离子辐照的少子寿命控制技术，并将He++离子辐照的峰值区放在了P型扩散层中。
(3)少子寿命控制普遍采用铂扩散+电子辐照技术，也有采用铂扩散+He++离子辐照或电子辐照+He++离子辐照技术。

RURG1520CC是应用新技术开发的N沟道增强模式MOS管,内含**二极管，采用国际标准封装，相对于同规格产品更容易驱动和保护，是大功率运用场合的利器。其低封装电感的特性，容易安装基本上即插即用，产品重量低至6.5克,产品外形节结构图和封装尺寸见下图。

目标应用程序：
不间断电源
空调系统
家电
焊接
交直流 

工作原理
  1. 源极和衬底连接是二极管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。
  2. 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。漏-衬底-源寄生三极管无电流的原因是：在正常工作条件下，衬底（寄生三极管基区）电势--，因此寄生三极管亦无电流。
  3. 当漏极电压增加，栅极-漏极间电势差将减小，当其减小到小于阈值电压时，漏极附近的反型层将夹断。