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信息标签:IGBT单管IKQ120N60T现货参数及替换,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  IGBT单管IKQ120N60T是一种体积小，集成度高、体积小、更易使用的功率器件，比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，能实现高效和可靠的逆变器系统。适用于马达控制、逆变、UPS等。内置双管（半桥）IGBT逆变单元电路，栅极与外壳一体化塑封，控制栅极电源+15VDC，采用新型散热绝缘材料双DCB（Direct Copper Bonding）作绝缘基片，增强抗应力能力。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。

产品特征：
（1）集成了--的第6代IGBT芯片及驱动IC，实现业界--水准的低损耗（较富士电机以往产品减少20%）、低放射干扰；
（2）在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能（4种信号）；
（3）体积与以往相比减小80%，产品更小、更薄。

选择和使用注意事项：  
① 请在产品的--额定值（电压、电流、温度等）范围内使用，一旦超出--额定值，可能损坏产品，特别是IGBT外加超出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在VCES的额定值范围内使用！工作使用频率愈高,工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑安全系数。 
② 驱动电路：由于IGBT Vce(sat) 和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为 +VGE=14～15V，-VGE=5～10V，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求； 栅极电阻Rg与IGBT 的开通和关断特性密切相关，减小Rg值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻Rg值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间--折衷(与频率有关)选择合适的Rg 值，一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅极开路，建议靠近栅极与发射极间并联10K～20KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源投入时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。

保护功能
(1)外壳温度过热保护功能。该保护功能通过与功率芯片安装在同一陶瓷基板上的温度检测元件来检测绝缘基板温度，当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时，会软关断IGBT。
  (2)芯片温度过热保护功能。该功能将通过在全部IGBT芯片上的温度检测元件来检测IGBT芯片温度，当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时，会软关断IGBT。
  (3)警报输出功能。保护功能动作时，警报输出端子相对各基准电位GND导通，有能力以放开集电极输出，直接驱动光耦器，内置1.5KΩ的串联电阻。保护功能动作时，警报信号输出约持续2ms，当警报原因消除时，再经过2ms以上，而且输入信号为OFF的话，则警报解除。下桥臂各驱动电路的警报端子相互连接，所以任何一个IGBT一旦输出警报，则包括制动电路在内的下桥臂全部IGBT停止。