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信息标签:IGBT单管IKQ100N60T现货技术参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  IGBT单管IKQ100N60T是作为大功率开关运用在通用变频器和伺服器控制系统中。该系列采用IGBTMOD™封装技术，每个模块由两个IGBT晶体管在一个半每个桥配置有一个晶体管反接连超**恢复续流二极管。所有组件和互连被隔离从散热基板，提供简化的系统装配和热管理。是功率MOSFET和双极型晶体管组成的复合器件，比起MOSFET的优越性在于它可以节约硅片的面积及具有双极型晶体管的电流特性。 制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极--电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极--电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 160 A
Pd-功率耗散: 714 W
**小工作温度: - 40 C
--工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKQ100N60T SP001138296
单位重量: 6.890 g

保护功能
(1)外壳温度过热保护功能。该保护功能通过与功率芯片安装在同一陶瓷基板上的温度检测元件来检测绝缘基板温度，当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时，会软关断IGBT。
  (2)芯片温度过热保护功能。该功能将通过在全部IGBT芯片上的温度检测元件来检测IGBT芯片温度，当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时，会软关断IGBT。
  (3)警报输出功能。保护功能动作时，警报输出端子相对各基准电位GND导通，有能力以放开集电极输出，直接驱动光耦器，内置1.5KΩ的串联电阻。保护功能动作时，警报信号输出约持续2ms，当警报原因消除时，再经过2ms以上，而且输入信号为OFF的话，则警报解除。下桥臂各驱动电路的警报端子相互连接，所以任何一个IGBT一旦输出警报，则包括制动电路在内的下桥臂全部IGBT停止。