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信息标签:IGBT单管IKZ75N65EH5现货技术参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  IGBT单管IKZ75N65EH5的封装和连接技术充分利用了硅的能力，从而产生了一个具有良好成本效益的解决方案。具有输人阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点，应用在变频器的主电路逆变器及一切逆变电路，即DC／AC变换中，如电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。

  电气特性
  电气性能为额定电流20A，耐压值为600V，直流母线耐压值450V，浪涌值为500V。--开关频率为20KHz。在双PWM变频器中，整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。

IGW60N60H3
IKW60N60H3
IKD15N60RF
IKD10N60RF
IKD06N60-RF
IGW75N60H3
IKW75N60H3
IGD06N60T
IRGP4066D
IRGP4069D
IRGP4068D
IKP20N60H3
IKB20N60H3
IKW50N60H3
IGW30N60H3
IGW20N60H3
IGB20N60H3
IGB30N60H3
IGW40N60H3
IKW40N60H3
IHW50N65R5
IKY75N120CS6
IKQ75N120CS6
IKFW50N60DH3E
IKFW40N60DH3E
IKFW60N60DH3E
IKFW50N60DH3
IKA10N65ET6
IKA08N65ET6
IKA15N65ET6
IHW40N120R5
IHW40N135R5
IHW30N120R5

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-4
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极--电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极--电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 90 A
Pd-功率耗散: 395 W
**小工作温度: - 40 C
--工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 H5
封装: Tube
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKZ75N65EH5 SP001160046

IGBT在电磁炉中的运用
   IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。