电子元器件及组件
现货IGBT单管IKP30N65H5技术参数
发布时间:2019-03-28 17:56:57 产品编号:GY-5-216522315  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:现货IGBT单管IKP30N65H5技术参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术IGBT单管现货替换IKP30N65H5
  IGBT单管IKP30N65H5为进一步降低开关功率损耗,在同一封装内还集成了一个超**软恢复二极管。高压端晶体管的开关频率选在20kHz的另一个好处是输出电感可以做得很小,使谐波分量的滤除非常容易。此外,不要求短路率,因为当逆变器输出短路时,输出电感L1和L2将限制电流di/dt,从而给控制器留出足够的反应时间。

IGBT单管现货资料
IRGP4640D
IRGP4650D
IRGP4660D
IKW15N120H3
IKW40N120H3
IGP06N60T
IGP50N60T
IGP10N60T
IGP15N60T
IKP04N60T
IGB10N60T
IKA06N60T
IKA10N60T
IHW40N60R
IKD10N60R
IKD06N60R
IKD04N60R
IKD03N60RF
IKD04N60RF
IKD15N60R
IKP40N65H5
IKW50N65F5
IKW40N65H5
IKW50N65H5
IKA15N65H5

产品特征:
(1)集成了--的第6代IGBT芯片及驱动IC,实现业界--水准的低损耗(较富士电机以往产品减少20%)、低放射干扰;
(2)在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能(4种信号);
(3)体积与以往相比减小80%,产品更小、更薄。

IGBT单管IKP30N65H5现货参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极--电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极--电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 55 A
Pd-功率耗散: 188 W
**小工作温度: - 40 C
--工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 H5
封装: Tube
高度: 15.95 mm
长度: 10.36 mm
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
宽度: 4.57 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKP30N65H5XKSA1 SP001133084
单位重量: 6 g

IGBT工作原理 
   IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。

联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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