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信息标签:现货IGBT单管IKP20N65H5参数及替换,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  IGBT单管IKP20N65H5通过采用沟道构造，使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值)，由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值，因此可轻松实现使用多个 IGBT模块的并联构成。

  电气特性
  电气性能为额定电流20A，耐压值为600V，直流母线耐压值450V，浪涌值为500V。--开关频率为20KHz。在双PWM变频器中，整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。

  产品特征：
（1）集成了--的第6代IGBT芯片及驱动IC，实现业界--水准的低损耗（较富士电机以往产品减少20%）、低放射干扰；
（2）在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能（4种信号）；
（3）体积与以往相比减小80%，产品更小、更薄。

安装使用注意事项
   a) 防静电：
IGBT的门极对静电等非常敏感。人体等所携带的静电以及栅极-发射极间施加过高电压（±20V以上），都可能导致IGBT因栅极击穿而损坏。因此在使用产品是遵守以下所述的注意点：
--、使用模块时，先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻（1MΩ左右）接地放电后，再在接地的导电性垫板上进行操作。
第二、使用IGBT模块时，要拿封装主体，不要直接触碰端子（特别是控制端子）部。
第三、对IGBT端子进行锡焊作业的时候，为了避免由烙铁，烙铁焊台的泄漏产生静电外加到IGBT上，烙铁前端等要用十分低的电阻接地
第四、IGBT模块是在用IC泡沫材料等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的，这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除。