电子元器件及组件
IGBT单管IKP30N65F5现货替换
发布时间:2019-03-28 17:48:48 产品编号:GY-5-216521815  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:IGBT单管IKP30N65F5现货替换,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术IGBT单管现货替换IKP30N65F5
  IGBT单管IKP30N65F5功率器件,控制用的集成电路,或再加上脉宽调制的集成电路,按电源设计的需要,用富士的封装技术组合在同一个器件中。这种多芯片的器件大大简化了电源设计人员的工作。减小了元件数及所占的面积,性能上也有了很多改进。经过多年的发展已经广泛运用到下一代计算机开发、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统等领域中。

IGBT单IKP30N65F5现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极--电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极--电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 55 A
Pd-功率耗散: 188 W
**小工作温度: - 40 C
--工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 F5
封装: Tube
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKP30N65F5XKSA1 SP001133082
单位重量: 6 g

电气特性
 电气性能为额定电流20A,耐压值为600V,直流母线耐压值450V,浪涌值为500V。--开关频率为20KHz。在双PWM变频器中,整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。

使用特点如下:
1) 输出电流较小,对较大功率IGBT实施驱动时,需要外加功率放大电路。
2) 由于流过IGBT的电流是通过其他电路检测来完成的,而且仅检测流过IGBT的电流,这就有可能对于IGBT的使用效率产生一定的影响,比如IGBT在安全工作区时,有时出现的提前保护等。
3) 要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快,一般由过电流发生到IGBT可靠关断应在10μs以内完成。
联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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