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信息标签:IGBT单管IGP20N65H5现货参数及替换,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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海飞乐技术IGBT单管现货替换IGP20N65H5。
IGBT单管IGP20N65H5仅需微弱的驱动电压即可工作,可以在高电压、大电流状态下长时间工作。以该产品为代表的IGBT管在电磁炉电路中扮演着非常重要的角色。当开关管导通时,+300V经加热线圈、开关管以大电流给加热线圈充电,电能转化为加热线圈中的电磁能。经测试,此时加在开关管上的电压约为十250V,工作电流在20A~40A之间。
产品特征:
• 沟槽栅IGBT3
• Tvjop=150°C
• VCEsat带正温度系数
• 高功率密度
• 绝缘的基板
• 标封装
(1)集成了--的第6代IGBT芯片及驱动IC,实现业界--水准的低损耗(较富士电机以往产品减少20%)、低放射干扰;
(2)在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能(4种信号);
(3)体积与以往相比减小80%,产品更小、更薄。
IGP20N65H5工作原理
从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台(反向传输电容 Cres 的放电)时,IGBT3开始建立反向电压 (t2),(dv/dt)可以通过栅极电阻控制,即栅极电阻增加,dv/dt 会降低。但是,当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时,栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域,栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时,电流变化率才能控制。电感负载时,只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时,(t3),电流就会通过相关的续流二极管换流。
IGBT单管IGP20N65H5现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极--电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极--电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 42 A
Pd-功率耗散: 125 W
**小工作温度: - 40 C
--工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 H5
封装: Tube
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IGP20N65H5XKSA1 SP001133070
单位重量: 6 g
安装说明
在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,--在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。