电子元器件及组件
IGBT单管IHW20N65R5现货技术参数
发布时间:2019-03-28 17:31:19 产品编号:GY-5-216520849  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:IGBT单管IHW20N65R5现货技术参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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海飞乐技术IGBT单管现货替换IHW20N65R5
  IGBT单管IHW20N65R5内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间,也大大增强了系统的可靠性, 常用在逆变器电机驱动器、AC/DC伺服驱动放大器和UPD不间断电源等行业中。

特点
通过直接检测连接处温度保护
低功耗和软开关
高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
因为大减少零部件的数量在更高的可靠性内置的控制电路

结构优势
IHW20N65R5与已经应用的1700V 标准模块相比,主要损耗减少了大约 20%。除了极低的静态和动态损耗外,1700V-SPT IGBT 表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态,尤其适合如 E1/E2 类型这样的大电流模块。尽管 SPT IGBT 的损耗较低,但它的短路电流和开关强度均较大,而且,独特的软穿通结构的电磁干扰很小。SPT 技术发展的同时,新的软**恢复二极管也被开发用于辅助 SPT 的特性。新的二极管在任意条件工作时,表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用,二极管也要求正的温度系数。1700V 的芯片组技术,文献[1,2]中证明,标准的平面工艺与软穿通概念的结合可得到性能更好的 IGBT,它比 NPT 结构的损耗更低,约小 20%。SPT 技术的通态损耗与使用沟道工艺的相同额定电流元件的通态损耗相似。因为工艺技术很成熟,为使单位面积上的成本更低,选用了平面设计。

   IGBT单管IHW20N65R5现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极--电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.35 V
栅极/发射极--电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
Pd-功率耗散: 150 W
**小工作温度: - 40 C
--工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 RC-H
封装: Tube
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IHW20N65R5XKSA1 SP001133100
单位重量: 6 g

IGBT 安装
① 散热器应根据使用环境及模块参数进行匹配选择,以保证模块工作时对散热器的要求。
② 散热器表面的光洁度应小于10mm,每个螺丝之间的平面扭曲小于10mm。为了减少接触热阻,**在散热器与模块之间涂上一层很薄的导热硅脂,模块均匀受力后,从模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为--。
③ 模块安装在散热器上时,螺钉需用说明书中给出的力矩拧紧。力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。力矩过大可能损坏模块外壳或是破坏模块绝缘;
④ 仅安装一个模块时,装在散热器中心位置,使热阻效果--。
⑤ 安装几个模块时,应根据每个模块发热情况留出相应的空间,发热大的模块应留出较多得空间。
⑥ 两点安装紧固螺丝时,先依次紧固额定力矩的1/3,然后反次达到额定力矩。
⑦ 四点安装和两点安装类似,IGBT长的方向顺着散热器的纹路。紧固螺丝时,依次对角紧固1/3额定力矩,然后反次达到额定力矩。
⑧ 使用带纹路的散热器时,IGBT长的方向顺着散热器的纹路,以减少散热器的变形。两只模块在一个散热器上安装时,短的方向并排摆放,中间留出足够的距离,主要是风机散热时减少热量迭加,容易散热,--限度发挥散热器的效率。二是模块端子容易连接,有利于减少杂散电感,尤其高频使用时更重要。
⑨ 在连接器件时,连接模块的母线排不能给模块主端子电极造成过大的机械和热应力,以免模块电极的内部焊接断裂或电极端子发热在模块上产生过热。
联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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