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信息标签:现货FS150R17N3E4_B11英飞凌IGBT,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！ 与高压**和软恢复SPT二极管一起使用，共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极，与低浓度P型阳极二极管相比， SOA特性更好，更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间，在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度，使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA，通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法，适当的分布了电子-空穴等离子浓度。**终，在大的电流模块中，并联芯片的均流很好，在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。

现货替换FS150R17N3E4_B11英飞凌IGBT
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
技术: IGBT7-T7
产品: IGBT Silicon Modules
配置: PIM
集电极—发射极--电压 VCEO: 1700V
集电极—射极饱和电压: 1.95V 
在25 C的连续集电极电流: 150A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
封装 / 箱体: AG-EASY1B-2
**小工作温度: - 40 C
--工作温度: + 175 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Screw Mount
栅极/发射极--电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
子类别: IGBTs

IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量，其栅电容较小，并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压，在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进，可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性，如降低栅存储时间，降低开关损耗，还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向，消除了导通电阻中RJFET的影响，还可以提高元胞密度，从而有利于降低功耗[17]，因此被广泛应用于中低压(1700V及以下电压等级)产品中，但是沟槽刻蚀后表面粗糙，会影响载流子迁移率及造成电场集中，影响击穿电压，而且多晶硅栅面积增加，使栅电容增大，此外，由于电流密度增大导致其短路能力降低。为了减小栅电容并降低短路电流，需要对元胞结构进行优化设计。