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信息标签:英飞凌IGBT现货FF450R33T3E3_B5,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！

   近年来，各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT，比如开关和通态损耗优化，以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600V和1,200V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS和UPS)等高频应用，帮助**限度发挥系统的性能。 英飞凌科技股份公司推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列及IGBT4系列。经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新**，并可满足开关频率高达100kHz的应用需求。

现货替换FF450R33T3E3_B5英飞凌IGBT
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
技术: IGBT7-T7
产品: IGBT Silicon Modules
配置: PIM
集电极—发射极**电压 VCEO: 3300V
集电极—射极饱和电压: 2.55 V 
在25 C的连续集电极电流: 450A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
封装 / 箱体: AG-EASY1B-2
**小工作温度: - 40 C
**工作温度: + 175 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Screw Mount
栅极/发射极**电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
子类别: IGBTs

运用外延片的IGBT（第三～第四代的600V型为止的系列产品，被称为“击穿型”）的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现**交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子**消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。