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信息标签:400V300A快恢复二极管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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   海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！

我国一般快恢复二极管的水平与国际**水平相差无几。国产器件不但在国内市场占有80%以上的份额，而且还有越来越多的出口。为区别于一般快恢复二极管，人们常将与IGBT、功率M0SFET等器件相匹配的FRD称之为超快恢复二极管，由于IGBT、功率MOSFET器件的开关速度很快，因此要求FRD不仅反向恢复要很快，而且要求“软”特性，以避免产生高的电压尖峰，避免产生射频干扰(RFI)和电磁干扰(EMI)。

   海飞乐技术多种封装300A400V快恢复二极管模块，使用平面钝化芯片、双芯片封装，具有软恢复特性，恢复时间短，开关损耗低等优点。应用于开关电源、电机控制及感应设备中。作为整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
300A400V快恢复二极管模块主要参数

300A400V快恢复二极管模块封装外形及尺寸


快恢复二极管的少子寿命控制技术：
快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比，因此，提高快恢复速度的**直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命，减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多，金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命，如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等，均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时，压降增加，漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大，不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中**经典的方法是扩金、扩铂。

注意事项：
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。