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信息标签:1200V200A快恢复二极管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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   海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！

一般快恢复二极管主要指与**晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大，电压高，反向恢复时间一般在Iµs以上，大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺，电流从几十安培至几千安培，电压几百至3000V以下，反向恢复特性通常比较??。结构上主要有园饼结构和方片结构，其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。

   海飞乐技术多种封装200A1200V快恢复二极管模块，使用平面钝化芯片、双芯片封装，具有软恢复特性，恢复时间短，开关损耗低等优点。应用于高频开关器件、开关电源、电机控制及感应设备中。作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
200A1200V快恢复二极管模块主要参数①
200A1200V快恢复二极管模块主要参数②


200A1200V快恢复二极管模块主要参数③


200A1200V快恢复二极管模块封装外形及尺寸




快恢复二极管目前在我国正日益受到国家和企业的高度重视，越来越多的企业正在或准备将资金和研究方向投向该项目，相信，不远的将来，我国快恢复二极管，包括IGBT和功率MOSFET等新一代高端电力电子器件的水平及产能必将赶上****水平。

快恢复二极管的性能特点：
高频化的电力电子电路不仅要求快恢复二极管的反向恢复特性较好，即正向瞬态压降小，恢复时间短更要求反向恢复特性也较好，即反向恢复时间短，反向恢复电荷少，并具有软恢复特性。