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信息标签:1200V75A快恢复二极管,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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    海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！

  海飞乐技术快恢复二极管HU75120H/HFD75120H，TO-247封装(可按需求定制不同封装)，电流75A，电压1200V，采用高温铂扩散工艺，降低开关损耗及IRM值，反向恢复时间短，主要应用于逆变焊机、高频开关器件、变频器、整流器开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）及超声波清洗机和焊机中，作续流二极管、整流二极管及阻尼二极管等。 75A1200V快恢复二极管HU75120H主要参数


75A1200V快恢复二极管HFD75120H主要参数


75A1200V快恢复二极管封装尺寸


一般快恢复二极管主要指与**晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大，电压高，反向恢复时间一般在1µs以上，大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺，电流从几十安培至几千安培，电压几百至3000V以下，反向恢复特性通常比较??。结构上主要有园饼结构和方片结构，其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。

快恢复二极管的少子寿命控制技术：
快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比，因此，提高快恢复速度的**直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命，减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多，金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命，如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等，均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时，压降增加，漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大，不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中**经典的方法是扩金、扩铂。