--连续正向电流 75A
二极管配置 共阳极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 1200V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管技术 硅结型
引脚数目 3
--正向电压降 2.8V
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 22.2mm
峰值反向回复时间 110ns
峰值非重复正向浪涌电流 1.4kA
--工作温度 +150 °C
尺寸 94 x 27.5 x 22.5mm
峰值反向电流 1mA
--工作温度 -40 °C

  当GTO导通时，主电流Io流经GT0，但当GTO实施门极关断时，GTO上电流Io被切断，但由于主回路中存贮元件如电感等存在，主电流lo不能随之下降，这时应该使通过吸收二极管Ds对吸收电容进行充电，也就是让电流被吸收电路吸收过去，从而减少了主电流Io的下降速率，也相应降低了过电流的产生，使GTO能迅速关断，增大电容值吸收效果会改善，但会??加吸收电路的损耗，所以吸收电容要取适当值。总而言之吸收二极管Ds的作用是在GTO元件关断时能短接Rs，加速对Cs的充电，而在Cs放电时Ds又处于反向，放电电流经过Rs流过，减小放电电流。

  由于电流变化率非常大，微小的电感就会引起很大的过电流，所以要求吸收电容和吸收电阻且无感的。而且电容、电阻、吸收二极管之间的接线越短越好，以免减小电感。