2ns后电场分布相对稳定，2ns、5ns、10ns、15ns以及20ns时的电场分布几乎重合，呈现PN结与N-N+结处两头尖，中间N-区较为平缓的吊床状电场分布。通过对电子密度和空穴密度分布图的观察发现，2ns及此后的电子、空穴在N-区内(4µm-20µm)的浓度基本相等，这是由于上方的PN结雪崩产生的电子向N-区漂移，同时下方的N-N+结雪崩产生的空穴也向上面的N-区漂移，两股漂移的载流子在N-区内形成了反向击穿下的等离子体(plasma)，这也被称为反偏下由雪崩注入引起的电导调制。由于之后的电压波形也处于比较“平稳”发展的状态，该阶段，本文称为"平稳"发展阶段。