--连续正向电流 200A
二极管配置 共阳极
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 1200V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管类型 硅结型
二极管技术 硅结型
引脚数目 3
--正向电压降 2.8V
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 22.2mm
峰值反向回复时间 110ns
峰值非重复正向浪涌电流 1.4kA
--工作温度 +150 °C
尺寸 94 x 27.5 x 22.5mm
峰值反向电流 1mA
--工作温度 -40 °C

  在更大的反向恢复电流密度下，阳极侧碰撞电离产生电子(浓度为nav)及等离子层抽取电子(浓度为n)向右漂移，过补偿ND时，nn+结处也将形成较强的电场。当阴极倒电场梯度的--值│dE/dx│=q（n+nav-ND）/ε增加到使电场峰值达到临界场强时，nn+结也发生雪崩碰撞电离。Nn+结碰撞电离产生的空穴向阳极侧移动经过pn站空间电荷区又会增强该处的动态雪崩，即此时形成相互促进的双重正反馈动态雪崩，称之为三度动态雪崩。