肖特基二极管的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。

肖特基二极管VS-HFA320NJ40CPBF技术参数
价格：1
产品种类: 整流器
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: TO-244
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 320 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Anode Common Cathode
Vf - 正向电压: 1.3 V
**浪涌电流: 1.2 kA
Ir - 反向电流 : 900 uA
恢复时间: 90 ns
**小工作温度: - 55 C
**工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
高度: 17.5 mm
长度: 93 mm
Pd-功率耗散: 625 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
商标名: HEXFRED
宽度: 21 mm
零件号别名: HFA320NJ40CPBF
单位重量: 68 g

  肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。