品牌:海飞乐
发货:3天内
信息标签:TM250SA-6模块专用IGBT驱动现货资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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TM250SA-6模块专用IGBT驱动现货资料
发布时间:2017-04-22 17:48:56 产品编号:GY-5-135639917 分享
价格:未填
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海飞乐技术有限公司是一家专注于研发、生产IGBT/MOSFET隔离驱动模块的独立厂商。涉及应用行业包括电力热力、电子仪器、冶金采矿、石油化工、家电制造、通信设备、交通运输、机械制造、材料工艺、汽车配件、纺织设备、节能环保等等，是IGBT/MOSFET驱动模块之优选解决方案供应商。更多TM250SA-6模块专用IGBT驱动现货相关资料清登录海飞乐技术有限公司网站查看：www.highsemi.com
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。
对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。
是在前代的基础上引入沟槽栅，这是当前国外半导体厂商普遍采用的结构组合，栅极采用了沟槽技术，工作电流从N漂移区(基区)直接流进垂直沟道而进入源区，于是，这种IGBT的通态压降消除了JFET区域串联电阻的影响，优化了器件表面的载流子分布，改善了器件的导通特性和电流密度。高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠性、低成本是IGBT器件的发展趋势。经过三十年的持续奋斗，不断探索与创新，现代IGBT的参数折衷达到了极高的水平，已可能成为近20年中**有普及价值的电力电子主力器件。目前尚无其它大功率高频器件可以代替IGBT。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。
对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。
是在前代的基础上引入沟槽栅，这是当前国外半导体厂商普遍采用的结构组合，栅极采用了沟槽技术，工作电流从N漂移区(基区)直接流进垂直沟道而进入源区，于是，这种IGBT的通态压降消除了JFET区域串联电阻的影响，优化了器件表面的载流子分布，改善了器件的导通特性和电流密度。高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠性、低成本是IGBT器件的发展趋势。经过三十年的持续奋斗，不断探索与创新，现代IGBT的参数折衷达到了极高的水平，已可能成为近20年中**有普及价值的电力电子主力器件。目前尚无其它大功率高频器件可以代替IGBT。
三菱IGBT模块TM250SA-6参数
价格：1
价格：1
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 450 A
封装 / 箱体: EconoPP
**工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 162 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 4
宽度: 150 mm
安装说明
在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。
联系方式
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姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
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地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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