电子元器件及组件
三菱TM60SA-6专用驱动器现货
发布时间:2017-04-19 16:14:28 产品编号:GY-5-134829219  分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱TM60SA-6专用驱动器现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  IGBT 安全工作,它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管MOSFET 的优点于一身,自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 的特点,是目前发展**为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。 IGBT 的驱动和保护是其应用中的关键技术。
  作为新一代功率半导体器件,IGBT器件具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点,是自动控制和功率变换的关键核心部件,被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电等产业中。在轨道交通领域,牵引传动系统是动车组、机车等装备的核心部件,而IGBT是牵引传动系统的核心部件。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率,提高用电质量,节电30%以上。IGBT器件产业分为IGBT芯片设计、芯片制造和IGBT器件封装三部分。其中芯片设计和制造又是**为**的环节,高端IGBT芯片的成本约占IGBT模块的50%左右。

效益:
**高效率的低传导和开关损耗
对设计的灵活性在600V,1200V的综合投资组合
装置可靠性高
 
性能特点
反向恢复时间(tr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为**反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到**反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

三菱IGBT模块TM60SA-6库存应用技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 1200 A
封装 / 箱体: IHM130
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
 产品参数图
产品结构图
产品结构图

  栅极电阻
  为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小 IGBT 集电极的电压尖峰,应在 IGBT 栅极串上合适的电阻 Rg 。当 Rg 增大时, IGBT 导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使 IGBT 损坏。应根据 IGBT 的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) 。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏 IGBT ,建议在栅射间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右。

  栅极布线要求
  合理的栅极布线对防止潜在震荡,减小噪声干扰,保护 IGBT 正常工作有很大帮助。
a .布线时须将驱动器的输出级和 lGBT 之间的寄生电感减至** ( 把驱动回路包围的面积减到**小 ) ;
b .正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路,防止功率电路和控制电路之间的耦合;
c .应使用辅助发射极端子连接驱动电路;
d .驱动电路输出不能和 IGBT 栅极直接相连时,应使用双绞线连接 (2 转/ cm) ;
e .栅极保护,箝位元件要尽量靠近栅射极。
1.7 隔离问题
由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合,所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离,主要的途径及其优缺点如表 1 所示。
表1 驱动电路与控制电路隔离的途径及优缺点
利用光电耦合器进行隔离
优点:体积小、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制,适用于 PWM 控制器
联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
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