价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:CM1200HD-50S专用驱动模块,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫

点击这里QQ咨询

联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。

  CM1200HD-50S专用驱动模块更多产品信息请登录海飞乐技术有限公司网站查看：www.highsemi
  绝缘栅双极晶体管 IGBT 安全工作，它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管MOSFET 的优点于一身，自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 的特点，是目前发展**为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。 IGBT 的驱动和保护是其应用中的关键技术。
  运用外延片的IGBT（第三～第四代的600V型为止的系列产品，被称为“击穿型”）的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现**交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子**消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。

   产品特色：
    国际标准封装，JEDEC TO- 240 AA
   •直接键合铜铝2O3- 陶瓷base PLATE
    集成了**的第6代IGBT芯片及驱动IC，实现业界**高水准的低损耗（较富士电机以往产品减少20%）、低放射干扰；
    在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能（4种信号）；
    体积与以往相比减小80%，产品更小、更薄。
  因 IGBT 栅极 - 发射极阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在 +20 ℃情况下，实测 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 5 ～ 6 V ，在实际使用时，为获得**小导通压降，应选取 Ugc ≥ (1.5 ～ 3)Uge(th) ，当 Uge 增加时，导通时集射电压 Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中 Uge 增加，集电极电流 Ic 也将随之增加，使得 IGBT 能承受短路损坏的脉宽变窄，因此 Ugc 的选择不应太大，这足以使 IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力 ( 在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用 IGBT 时， +Uge 在满足要求的情况下尽量选取**小值，以提高其耐短路能力 ) 。

  驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考。
igbt驱动电路是驱动igbt模块以能让其正常工作，并同时对其进行保护的电路。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。
因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中仅仅只能作为一个参考值使用。
IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻