海飞乐乐技术有限公司，定做、销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。可封装完美替换大卫快恢复二极管MPKB2CA150U60。关于更多快恢复二极管的相关信息请联系：朱先生   13632957632

  快恢复二极管属于整流二极管中的高频二极管，特点是它的反向恢复时间很短，这一点特别适合高频率整流。快恢复二极管的反向恢复时间是其性能的重要参数，反向恢复时间的定义是：二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始，到反向电源恢复到**反向电流的10％所需要的时间。常用符号trr表示，trr值越小的快恢复二极管工作频率越高。因为导通和截止转换迅速，从而可以改善整流波形。快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，普通整流二极管是一个PN结，而快恢复二极管PN结中间增加了基区I，构成PIN硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短。从电物理现象来解释，导通状态向截止状态转变时，二极管在阻断反向电流之前需要首先释放上个周期存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间，反向恢复时间实际上是由电荷存储效应引起的．反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。  

   结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
  20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
  几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。

产品特性：
韩国美格纳公司专业致力于大功率模块的研发与生产。

运用领域：
适用于开关电源AC/DC、逆变电源、UPS/EPS电源、 电焊机、特种电源、马达驱动等。

美格纳快恢复二极管MPKB2CA150U60现货参数价格资料
价格：1
二极管配置 共阴极
**连续正向电流 150A
每片芯片元件数目 2
峰值反向重复电压 600V
安装类型 面板安装
封装类型 5DM-1
二极管类型 硅结型
峰值正向电压 1.8V
引脚数目 3
长度 94mm
宽度 27.5mm
高度 22.2mm
峰值反向回复时间 110ns
峰值非重复正向浪涌电流 2.8kA
峰值反向电流 1mA
尺寸 94 x 27.5 x 22.5mm
**工作温度 -40 °C
**高工作温度 +150 °C

  主要参数
  用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：

  1、**整流电流IF
  是指二极管长期连续工作时，允许通过的**正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管**整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

  2、**高反向工作电压Udrm
  加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了**高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

  3、**高工作频率Fm
  Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。

  4、电压温度系数αuz
  αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好。

  同系列产品：MPJC2CA150U40 MPJC2CA100U60 MPJC2CA150U60 MPKB2CA100U60 MPKB2CB100U60 MPKB2SA100U120 MPKB2SB100U120 MPKC2CA150U60 MPKC2CA200U60 MPKC2CB200U60


  工作原理
  二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

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