海飞乐乐技术有限公司，定做、销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。韩国美格纳MPKB2CA100U40快恢复二极管模块 原韩国大卫：DAC2F100N4S，我司可封装完美替换。关于更多快恢复二极管的相关信息请联系：朱先生   13632957632

  快恢复二极管是近半年来面市的半导体器件。快恢复二极管具有开关特性好、反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器、不间断电源、高压加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用。

   快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

特点
　快恢复时间
　大电流能力
　高抗浪涌电流能力
　低正向压降
　低反向漏电流

快恢复二极管DAC2F100N4S原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商:大卫
RoHS: 符合RoHS
产品类型 快恢复二极管 是否进口 是 品牌 MAGNACHIP
型号 MPKB2CA100U40 材料 硅(Si) 封装 5DM-1
工作温度范围 125（℃） 针脚数 3个 批号 14+
工作电流 200A 工作电压 400V

韩国大卫型号	韩国美格纳 型号 参数
DH2F100N4S  2组100A 400V  封装：3DM-2	MPJC2CA100U40  2组100A 400V  封装：3DM-2
DH2F150N4S  2组150A 400V  封装：3DM-2	MPJC2CA150U40  2组150A 400V  封装：3DM-2
DH2F200N4S  2组200A 400V  封装：3DM-2	MPJC2CA200U40  2组200A 400V  封装：3DM-2
DAC2F100N4S 2组100A 400V  封装：5DM-1	MPKB2CA100U40  2组100A 400V  封装：5DM-1
DAC2F150N4S 2组150A 400V  封装：5DM-1	MPKB2CA150U40  2组150A 400V  封装：5DM-1
DWM90X2-04N  2组90A  400V 封装：SOT-227	MPSC2N100U40   2组100A 400V  封装：SOT-227
DWM100X2-04N 2组100A 400V 封装：SOT-227	MPSC2N100U40   2组100A 400V  封装：SOT-227
DWM125X2-04N 2组125A 400V 封装：SOT-227	MPSC2N125U40   2组125A 400V  封装：SOT-227
DS1F300N4S  300A 400V  封装：2DM-1	MPGP1N300U40 1单元 300A 400V 封装：2DM-1

击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

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