据报道，C.M.Zetterling等人采用6H?SiC衬底外延10μm的N型层，再用离子注入形成一系列平行P+条，顶层势垒金属选用Ti，这种结构与图2相类似的结势垒肖特基（JunctionBarrierSchottky，缩写为JBS）器件，正向特性与Ti肖特基势垒相同，反向漏电流处于PN结和Ti肖特基势垒之间，通态电阻密度为20mΩ·cm2，阻断电压达1.1kV，在200V反向偏压下的漏电流密度为10μA/cm2。此外，R·Rayhunathon报道了关于P型4H?SiCSBD、6H?SiCSBD的研制成果。这种以Ti作为金属势垒的P型4H?SiCSBD和6H?SiCSBD，反向击穿电压分别达600V和540V，在100V反向偏压下的漏电流密度小于0.1μA/cm2（25℃）。
SiC是制作功率半导体器件比较理想的材料，2000年5月4日，美国CREE公司和日本关西电力公司联合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二极管，其正向压降VF在100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。

稳压二极管与肖特基二极管的区别在于：
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4v，反向在击穿电压之前不会导通，起到**反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7v，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压的条件下会处于导通的状态，电压也不再升高，所以用在重要元器件上，起到稳压作用。

  二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

   肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

封装
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。

  作用
  肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使。
 
肖特基二极管LFUSCD10120A原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 肖特基二极管
制造商: Littelfuse
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: Schottky Rectifiers
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN-8
If - 正向电流: 30 A
Vrrm - 重复反向电压: 60 V
Vf - 正向电压: 770 mV
Ifsm - 正向浪涌电流: 240 A
配置: Single
技术: Si
Ir - 反向电流 : 6 mA
**工作温度: + 150 C
**小工作温度: - 55 C
系列: DST
封装: Reel
商标: Littelfuse
工厂包装数量: 3000
Vr - 反向电压 : 60 V


   工作原理
  肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

  关于更多肖特基二极管、快恢复二极管的相关信息请进入我司网站查看：http://www.highfel.com