mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

  双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。[1]
  场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。**普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

  威世FA57SA50LC是第三代国际整流器设计与**切换的**组合，坚固耐用的设备设计，低电阻和成本效益。采用SOT - 227封装普遍**的商业工业应用的功耗水平在约500瓦。低的SOT - 227热电阻有助于其在整个行业广泛接受。

产品特点
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感

主要用在电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。

肖特基二极管DST1040S**原装现货技术参数价格
价格：1
原装现货MOS管FA57SA50LC技术参数
通道类型 N
**连续漏极电流 5.7 A
**漏源电压 500 V
**漏源电阻值 0.08 Ω
**栅源电压 ±20 V
封装类型 SOT-227
安装类型 螺丝
引脚数目 4
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
**功率耗散 625 W
宽度 25.7mm
典型接通延迟时间 152 ns
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
每片芯片元件数目 1
长度 38.3mm
高度 12.3mm
**工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 225 nC @ 400 V
典型关断延迟时间 108 ns
典型输入电容值@Vds 10000 pF @ 25 V
**高工作温度 +150 °C 

  在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员**的是MOS的**小传导损耗。

  我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是**的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的**简单的定义是结到管壳的热阻抗。

  其发热情况有：
  1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的**忌讳的错误。
  2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
  3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于**电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
  4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。