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快恢复二极管MURT30040原装现货技术参数价格作用
发布时间:2016-12-08 16:52:01 产品编号:GY-5-111917591  分享
价格:未填
发货:3天内
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快恢复二极管
 
 
  二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生**早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

  快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
  通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。

快恢复二极管MURT30040原装现货技术参数价格 
价格:1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: GeneSiC Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Module
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 300 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
Vf - 正向电压: 1.35 V
**浪涌电流: 2750 A
Ir - 反向电流 : 25 uA
系列: MURT300
封装: Bulk
商标: GeneSiC Semiconductor
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 25
产品详细参数图
 
(1)**平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的**正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
(2)**高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的**反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V,1N4007的VR为1000V
(3)**反向电流IR:它是二极管在**高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。
(4)击穿电压VB:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。
(5)**高工作频率fm:它是二极管在正常情况下的**高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流,如开关电源中。
(6)反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及**反向瞬态电压下的反向恢复时间。
(7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA。

  快恢复二极管作用
  快恢复二极管作用一般地说用于较高频率的整流和续流。至于电源模块的输入部份,好像频率不高,不必用快恢复二极管,用普通二极管即可。
  对于二极管来说,加在其两端的电压由正向变到反向时,响应时间一般很短,而相反的由反向变正向时其时间相对较长,此即为反向恢复时间,当二极管用做高频整流等时,要求反向恢复时间很短,此时就需要快恢复二极管(FRD),更高的超快恢复二极管(SRD),开关二极管,**的是肖特基管(其原理不同于以上几个二极管)

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