品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FP50R12KT4深圳库存现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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英飞凌IGBT模块FP50R12KT4深圳库存现货技术参数价格资料
发布时间:2016-10-25 18:33:08 产品编号:GY-5-106586450 分享
价格:未填
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联系人：吴小姐
咨询电话：0755-33556146
手机专线：15712055037
Email：Info@gongyes.com
更多产品信息请查看我司网站：http://www.gongyes.com
产品特性
• 工业级隔离等级：高瞬变抑制能力、高可靠性、5kVrms
• 隔离型栅极驱动器市场中**齐全的特性集成度
• 可选的集成DC-DC转换器简化电路板布局布线和驱动器电源设计
• 业内**的去饱和检测：可比竞争对手产品快达10倍
• **、****的定时特性，低传输延迟(小于55ns)：优于光耦解决方案达10倍，并且比竞争对手的CMOS解决方案好2倍
英飞凌IGBT模块FP50R12KT4深圳库存现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 280 W
封装 / 箱体: Econo 3
**工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
英飞凌IGBT模块现货型号
FS300R12KE3
FS225R12KE3
FS150R12KE3G
FS150R12KE3
FS100R12KE3
FS75R12KE3G
FS75R12KE3_B9
FZ400R12KS4
FD300R12KS4_B5
FD300R12KS4
FF600R12IS4F
FS50R06YL4 50A , 600V , IGBT4 EasyPACK 2
FS50R06YE3 50A , 600V , IGBT2 EasyPACK 2
FS50R06KE3 50A , 600V , IGBT3 EconoPACK 2
FS75R06KE3 75A , 600V , IGBT4 EconoPACK 2
FS100R06KE3 100A , 600V , IGBT4 EconoPACK 3
FS150R06KE3 150A , 600V , IGBT4 EconoPACK 3
FS200R06KE3 200A , 600V , IGBT4 EconoPACK 3
FS50R07N2E4 50A , 650V , IGBT3 EconoPACK 2
FS50R07N2E4_B11 50A , 650V , IGBT4 EconoPACK 2
FS75R07N2E4 75A , 650V , IGBT3 EconoPACK 2
FS75R07N2E4_B11 75A , 650V , IGBT4 EconoPACK 2
IGBT测试工装使用说明
一、准备工作：交流电源、交流调压器、万用表、示波器、IGBT测试工装、2P开关
二、外观检验：
检查IBGT各边角是否有破损，４７K电阻是否有虚焊、连焊（注意在检查过程中不要用手触及各端子头并配带静电手环进行检查操作）
三、测试步骤：
1、把调压器输出值调为**小值0V左右，并将调压器的输出线与IBGT工装的2P INPUT端子排固定紧（输出线与端子排固定时无极性顺序）;断开2P开关，把调压器的电源输入线插到220V交流电源上;
2、把被测IGBT分别与主电路对应的C1、C2E1、E2，’C1、’C2’E1、’E2用螺丝固定紧（固定完后检查线是否有松动）;将控制电路的G1E1、G2E2、’G1’E1、’G2’E2分别与IGBT上的控制端子相连接，（长线为高电压输入端接G、短线为低电压输入端接E）
3、打开2P控制开关，慢慢调节调压器的调压旋钮直到触发板的LED灯亮为止，10S后打开IGBT测试工装的主电路部分的控制开关，用万用表直流电压挡测试电容正负极的电压值是否稳定
4、用示波器一踪接电容的正负极，另一踪接C2E1/’C2’E1和电容的负极,观察波形因控制信号开关后高电平位置是否有毛刺（可以通过与同一时刻电容的正负极波形相比较），若有明显的噪声则为不良反之为良。
制造商如国际整流器几乎十年前搬到一个沟槽结构。该沟槽结构不仅允许更高的通道密度通过降低栅极和基极区的有效直径，它增强堆积层的电荷注入，降低了寄生JFET从中旧平面设计受到的影响。对于给定的开关频率，该沟槽结构减少了传导和相对于传统的PT和NPT结构开关损耗。沟道IGBT现在是在一个大范围内许多厂商的评级可用。 IR自己的范围 涵盖关键600 V和1200 V阻断电压范围。
一个典型的装置中，IRGB4060，是打包带软恢复反向二极管，并提供一个关断延迟时间缩短到95纳秒，以支持相对高的开关频率的为1.55V晶体管。
增加一个场终止区域，以一个薄晶圆NPT装置能够在性能上的几个进一步的改进。有点类似于在PT概念，该层站的电场，从而允许使用为同一高击穿电压的薄晶片。通过控制两个场阑和p +集电极层中的载流子浓度能够提高背面结的发射极效率。其结果是，场站提供具有低VCE的设备上更快的转换(饱和)成为可能，更薄的晶片。
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深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702
流器在工作时由于负载侧故障而引起短路，输出电流会急剧上升，导致IGBT的工作电流也会对应急剧上升。一般地，对IGBT而言，短路分为两种情况：**，变流器的桥臂内发生直通，回流路径很小，其等效负载也非常小，近似为零，一般称为一类短路。第二，变流器短路点发生在负载侧，等效短路阻抗较大，称为二类短路。二类短路一般也可认为是变流器较严重的过流发生。在短路发生时刻，如果不采取相关措施，就会导致IGBT**进入退饱和，如IGBT过流保护分析，其瞬态功耗超过限值而损坏。因此，当短路发生时，要尽快关断IGBT，而且关断的速度要平缓，保证电流变化速率在一定范围，避免关断过快而引起电压应力超过限值而损坏IGBT。
当一类短路发生时，流过IGBT的工作电流上升非常快，在很短时间内达到退饱和电流。如果在此刻将IGBT关断，电压尖峰将非常大，很有可能超过限值。为此，在一类短路发生时，将IGBT缓慢、可靠关断非常重要。为了使得驱动电路在尽可能短的时间内响应电流变化，在有源钳位的方案中增加**响应措施，使得IGBT驱动能够尽快动作。具体措施如图5所示，在TVS管上并联陶瓷电容，该电容高频特性较好，能够响应高频的电流变化，当IGBT的集电极电压发生**变化时，该电容可以通过电流信号将变化及时地反馈给IGBT栅极，这样，栅极由于此电流的注入而从即将关断的状态进入再次开通的状态，对IGBT本身来说，其电流的变化率就不至过快，确保其较小的关断电压尖峰。IZC可通过以下公式计算得到。对于一类的桥臂直通的短路和二类的较大负载的短路，除采用高级有源钳位的方法外，也可采用软关断的方法处理，二者的区别在于，软关断的瞬时功耗较大，对变流器本身来讲，如果长时间的处于短路状态，效率会有所降低，与此同时，IGBT会有热应力的风险。
英飞凌 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
流器在工作时由于负载侧故障而引起短路，输出电流会急剧上升，导致IGBT的工作电流也会对应急剧上升。一般地，对IGBT而言，短路分为两种情况：**，变流器的桥臂内发生直通，回流路径很小，其等效负载也非常小，近似为零，一般称为一类短路。第二，变流器短路点发生在负载侧，等效短路阻抗较大，称为二类短路。二类短路一般也可认为是变流器较严重的过流发生。在短路发生时刻，如果不采取相关措施，就会导致IGBT**进入退饱和，如IGBT过流保护分析，其瞬态功耗超过限值而损坏。因此，当短路发生时，要尽快关断IGBT，而且关断的速度要平缓，保证电流变化速率在一定范围，避免关断过快而引起电压应力超过限值而损坏IGBT。
当一类短路发生时，流过IGBT的工作电流上升非常快，在很短时间内达到退饱和电流。如果在此刻将IGBT关断，电压尖峰将非常大，很有可能超过限值。为此，在一类短路发生时，将IGBT缓慢、可靠关断非常重要。为了使得驱动电路在尽可能短的时间内响应电流变化，在有源钳位的方案中增加**响应措施，使得IGBT驱动能够尽快动作。具体措施如图5所示，在TVS管上并联陶瓷电容，该电容高频特性较好，能够响应高频的电流变化，当IGBT的集电极电压发生**变化时，该电容可以通过电流信号将变化及时地反馈给IGBT栅极，这样，栅极由于此电流的注入而从即将关断的状态进入再次开通的状态，对IGBT本身来说，其电流的变化率就不至过快，确保其较小的关断电压尖峰。IZC可通过以下公式计算得到。对于一类的桥臂直通的短路和二类的较大负载的短路，除采用高级有源钳位的方法外，也可采用软关断的方法处理，二者的区别在于，软关断的瞬时功耗较大，对变流器本身来讲，如果长时间的处于短路状态，效率会有所降低，与此同时，IGBT会有热应力的风险。
英飞凌 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
产品特性
• 工业级隔离等级：高瞬变抑制能力、高可靠性、5kVrms
• 隔离型栅极驱动器市场中**齐全的特性集成度
• 可选的集成DC-DC转换器简化电路板布局布线和驱动器电源设计
• 业内**的去饱和检测：可比竞争对手产品快达10倍
• **、****的定时特性，低传输延迟(小于55ns)：优于光耦解决方案达10倍，并且比竞争对手的CMOS解决方案好2倍
英飞凌IGBT模块FP50R12KT4深圳库存现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
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配置: 3-Phase
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 280 W
封装 / 箱体: Econo 3
**工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
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FS300R12KE3
FS225R12KE3
FS150R12KE3G
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FS100R12KE3
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FS75R12KE3_B9
FZ400R12KS4
FD300R12KS4_B5
FD300R12KS4
FF600R12IS4F
FS50R06YL4 50A , 600V , IGBT4 EasyPACK 2
FS50R06YE3 50A , 600V , IGBT2 EasyPACK 2
FS50R06KE3 50A , 600V , IGBT3 EconoPACK 2
FS75R06KE3 75A , 600V , IGBT4 EconoPACK 2
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FS75R07N2E4_B11 75A , 650V , IGBT4 EconoPACK 2
一、准备工作：交流电源、交流调压器、万用表、示波器、IGBT测试工装、2P开关
二、外观检验：
检查IBGT各边角是否有破损，４７K电阻是否有虚焊、连焊（注意在检查过程中不要用手触及各端子头并配带静电手环进行检查操作）
三、测试步骤：
1、把调压器输出值调为**小值0V左右，并将调压器的输出线与IBGT工装的2P INPUT端子排固定紧（输出线与端子排固定时无极性顺序）;断开2P开关，把调压器的电源输入线插到220V交流电源上;
2、把被测IGBT分别与主电路对应的C1、C2E1、E2，’C1、’C2’E1、’E2用螺丝固定紧（固定完后检查线是否有松动）;将控制电路的G1E1、G2E2、’G1’E1、’G2’E2分别与IGBT上的控制端子相连接，（长线为高电压输入端接G、短线为低电压输入端接E）
3、打开2P控制开关，慢慢调节调压器的调压旋钮直到触发板的LED灯亮为止，10S后打开IGBT测试工装的主电路部分的控制开关，用万用表直流电压挡测试电容正负极的电压值是否稳定
4、用示波器一踪接电容的正负极，另一踪接C2E1/’C2’E1和电容的负极,观察波形因控制信号开关后高电平位置是否有毛刺（可以通过与同一时刻电容的正负极波形相比较），若有明显的噪声则为不良反之为良。
制造商如国际整流器几乎十年前搬到一个沟槽结构。该沟槽结构不仅允许更高的通道密度通过降低栅极和基极区的有效直径，它增强堆积层的电荷注入，降低了寄生JFET从中旧平面设计受到的影响。对于给定的开关频率，该沟槽结构减少了传导和相对于传统的PT和NPT结构开关损耗。沟道IGBT现在是在一个大范围内许多厂商的评级可用。 IR自己的范围 涵盖关键600 V和1200 V阻断电压范围。
一个典型的装置中，IRGB4060，是打包带软恢复反向二极管，并提供一个关断延迟时间缩短到95纳秒，以支持相对高的开关频率的为1.55V晶体管。
增加一个场终止区域，以一个薄晶圆NPT装置能够在性能上的几个进一步的改进。有点类似于在PT概念，该层站的电场，从而允许使用为同一高击穿电压的薄晶片。通过控制两个场阑和p +集电极层中的载流子浓度能够提高背面结的发射极效率。其结果是，场站提供具有低VCE的设备上更快的转换(饱和)成为可能，更薄的晶片。
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公司:海飞乐技术有限公司
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电话:0755-23490212
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