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对于SiC市场前景,英飞凌工业功率控制事业部总监马国伟强调:“英飞凌推出SiC更多的是看中了长远的发展,我们不在乎半年、一年能马上有一个数字,或者是压多少库存。我们希望现在做三年以后的产品路线图的时候,能够考虑到SiC的一些产品特性,对长期的规划的产品发展有所帮助,在这方面,我认为也是中国企业的长期规划。”
SiC开关用于1kW - 500kW(@10kHz - MHz),是工业功率应用的一大主要创新,新技术能够补充硅技术,并打开目前硅技术无法满足需求的新应用领域,产品的坚固性和以系统为导向的产品制定方式将是关键成功因素。“而英飞凌的SiC技术将能填补现有应用及开拓新应用,以系统成本及产品生命周期的节省来补偿SiC器件的高成本。 SiC 未来的成本也必将下降,使技术普及到传统应用。”他认为,SiC的应用路径将是从高端应用到低成本应用,**后普及到主流应用,而英飞凌的SiC器件应用从太阳能逆变器开始 , 然后往UPS、储能及充电器扩展。
英飞凌IGBT模块FF50R12RT4 通过采用沟道构造,使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值),由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值,因此可轻松实现使用多个BSM200GD60DLC IGBT模块的并联构成。
英飞凌IGBT模块FF50R12RT4还专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化。并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。新器件采用的材料环保、不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
机械特性
• 高功率密度
• 绝缘的基板
• 标封装
基本参数:IGBT 模块, 600V/600A,EconoDUAL™3封装
IGBT模块工作原理
从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台(反向传输电容 Cres 的放电)时,IGBT3开始建立反向电压 (t2),(dv/dt)可以通过栅极电阻控制,即栅极电阻增加,dv/dt 会降低。但是,当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时,栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域,栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时,电流变化率才能控制。电感负载时,只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时,(t3),电流就会通过相关的续流二极管换流。
英飞凌IGBT模块FF50R12RT4**现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 285 W
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
电气和机械特性:
电气特性
• 沟槽栅IGBT3
• Tvjop=150°C
• VCEsat带正温度系数
英飞凌IGBT模块**现货型号
FF400R12KE3 TT92N14KOF
FF400R12KT3 TT92N16KOF
FF600R17KE3-B2 FF300R17KE3
FF800R12KF4 T1989N18TOF
FP10R12YT3 SKW25N120
FP15P12YT3 IHW25N120R2
FS15R06VE3 IKA10N60T
FP15R12K3 FF800R17KF6CB1
FP15R12KT3 BSM25GD120DN2E3224
FP15R12KE3 FP20R06YE3
FP15R12KE3G fz800r33kf2c
FP15R12YT3 fz1200r33kf2c
FP10RYT3 FZ400R17KE3
FZ800R12KF4 FS75R12KT3
FP25R12KE3 TT142N1400KOF