品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FF300R12KT4P库存现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
点击这里进行电话呼叫
点击这里QQ咨询
联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。
英飞凌IGBT模块FF300R12KT4P库存现货技术参数价格
发布时间:2016-10-25 17:49:43 产品编号:GY-5-106583415 分享
价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FF300R12KT4P库存现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FF300R12KT4P库存现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
联系人：吴小姐
咨询电话：0755-33556146
手机专线：15712055037
Email：Info@gongyes.com
更多产品信息请查看我司网站：http://www.gongyes.com
深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702
使用IGBT的变换器搞出电压、频率受控的强电，来灵活控制电机的转速。反映到高铁上，就是高铁列车的车速。这就是所谓的变压变频控制(VVVF)。
除了高铁，像电动汽车、变频空调、风力发电机等很多用到交流电机的场合，都用得到IGBT及配套的这类电路来控制电机。太阳能电厂、电力储能等领域，主要用IGBT进行交流电、直流电之间的转换。
英飞凌IGBT模块FF300R12KT4P是**的第三代功率模块具有电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它同领域的功率器件。
在IGBT提供需要用来驱动重要逆变器级的开关能力。通常情况下，一个600 V阻断电压等级是需要从200-240 VAC操作驱动器主电源，具有1200 V青睐于460 VAC的应用。
从功率MOSFET IGBT的结构演变在80年代期间，响应于需要增加的阻断电压。这是通过增加一个额外的PN结到MOSFET架构的漏极，形成双极晶体管结构和整体NPNP半导体实现。与目前制造大多数功率晶体管，该晶体管的结构是垂直的而不是水平的，与上述PNP双极性晶体管放置在管芯的背面侧的集电极。 AP或P +的浴盆，其中包含N掺杂阱连接的源极/发射极和栅极区。电流流经该浴池进入一个比较宽的N掺杂漂移区进入收集器。然而，因为它有一个MOSFET的绝缘栅，该装置作为一个整体保持电压控制而不是电流控制。互锁双极晶体管的增益需要被仔细控制以抑制操作作为NPNP晶闸管。
有关数据表明，IGBT在其整个生命周期中，因电路中超过其所能承受的电压而击穿损坏的占整个IGBT失效类型的比例较大。为此，在IGBT驱动电路设计中，有关其过电压防护问题显得尤为重要。
IGBT出现过电压的现象主要由于电路中过大的电流变化率而导致，如式(1)所示。其中，VCE为IGBT集电极与发射极两端电压;Ls为电路中杂散电感;di/dt为IGBT电流的变化率，此处一般为电流的下降速率。由式(1)可见，关断电压应力大小主要取决于两方面：**，电路中的杂散电感量;第二，电流的变化率。这两个方面直接决定应力的大小。因此，减小电压应力的方法有两种：**，尽量减小线路中的杂散参数，即寄生电感量，但该方法的成效有限;第二，通过电路的设计，减小电流变化率，从而降低电压应力。本文中主要针对第二种方法进行研究。
联系人：吴小姐
咨询电话：0755-33556146
手机专线：15712055037
Email：Info@gongyes.com
更多产品信息请查看我司网站：http://www.gongyes.com
深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702
使用IGBT的变换器搞出电压、频率受控的强电，来灵活控制电机的转速。反映到高铁上，就是高铁列车的车速。这就是所谓的变压变频控制(VVVF)。
除了高铁，像电动汽车、变频空调、风力发电机等很多用到交流电机的场合，都用得到IGBT及配套的这类电路来控制电机。太阳能电厂、电力储能等领域，主要用IGBT进行交流电、直流电之间的转换。
英飞凌IGBT模块FF300R12KT4P是**的第三代功率模块具有电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它同领域的功率器件。
在IGBT提供需要用来驱动重要逆变器级的开关能力。通常情况下，一个600 V阻断电压等级是需要从200-240 VAC操作驱动器主电源，具有1200 V青睐于460 VAC的应用。
从功率MOSFET IGBT的结构演变在80年代期间，响应于需要增加的阻断电压。这是通过增加一个额外的PN结到MOSFET架构的漏极，形成双极晶体管结构和整体NPNP半导体实现。与目前制造大多数功率晶体管，该晶体管的结构是垂直的而不是水平的，与上述PNP双极性晶体管放置在管芯的背面侧的集电极。 AP或P +的浴盆，其中包含N掺杂阱连接的源极/发射极和栅极区。电流流经该浴池进入一个比较宽的N掺杂漂移区进入收集器。然而，因为它有一个MOSFET的绝缘栅，该装置作为一个整体保持电压控制而不是电流控制。互锁双极晶体管的增益需要被仔细控制以抑制操作作为NPNP晶闸管。
英飞凌IGBT模块FF300R12KT4P库存现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 295 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1050 W
封装 / 箱体: Econo D
**工作温度: + 150 C
封装: Box
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 122 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 14
宽度: 45 mm
IGBT模块工作原理
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
IGBT电压应力抑制价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 295 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1050 W
封装 / 箱体: Econo D
**工作温度: + 150 C
封装: Box
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 122 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 14
宽度: 45 mm
IGBT模块工作原理
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
有关数据表明，IGBT在其整个生命周期中，因电路中超过其所能承受的电压而击穿损坏的占整个IGBT失效类型的比例较大。为此，在IGBT驱动电路设计中，有关其过电压防护问题显得尤为重要。
IGBT出现过电压的现象主要由于电路中过大的电流变化率而导致，如式(1)所示。其中，VCE为IGBT集电极与发射极两端电压;Ls为电路中杂散电感;di/dt为IGBT电流的变化率，此处一般为电流的下降速率。由式(1)可见，关断电压应力大小主要取决于两方面：**，电路中的杂散电感量;第二，电流的变化率。这两个方面直接决定应力的大小。因此，减小电压应力的方法有两种：**，尽量减小线路中的杂散参数，即寄生电感量，但该方法的成效有限;第二，通过电路的设计，减小电流变化率，从而降低电压应力。本文中主要针对第二种方法进行研究。
联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
去海飞乐技术有限公司怎么走？上图中的红点是海飞乐技术有限公司在深圳市的具体位置标注，操作左上角地图工具可以放大缩小哦。
相关信息
[电子元器件及组件] 推荐供应
最新发布信息
点击分享到微信、朋友圈、QQ...