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英飞凌IGBT模块FF150R12RT4原装现货技术参数价格资料
发布时间:2016-10-25 17:43:41 产品编号:GY-5-106582872  分享
价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FF150R12RT4原装现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  FF150R12RT4通过采用沟道构造,使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值),由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值,因此可轻松实现使用多个 IGBT模块的并联构成。
  英飞凌FF150R12RT4还专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化。并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。新器件采用的材料环保、不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史,几乎已替代一切其它同领域的功率器件。

  产品在具有成本效益的单个器件中集成了可靠的隔离、**的栅极驱动技术和**过流监视能力,该设计旨在保护昂贵的IGBT开关。高功率逆变器和电源转换器系统通常使用IGBT作为开关器件,而过流状态能够破坏IGBT、损害系统关键功能、危及产品安全并降低可靠性。IGBT的有效开关特性需要使用像Si828x器件这样具有特别监视和控制特性的隔离栅极驱动器。

英飞凌IGBT模块FF150R12RT4原装现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 790 W
封装 / 箱体: Module
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 10
产品技术参数

  IGBT串并联使用注意事项
   1)并联目的是增大使用的工作电流,但器件要匹配,每模块的Uce之差小于0.3V。还要降流使用,对于不小于200A的模块,600V的降10%Ic,1200~1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,并要取饱和压降相等或接近的模块才行。栅控电路要分开,除静态均流外,还有动态均流问题,并使温度相接近,以免影响电流的均衡分配,因IGBT是负阻特性的器件。
  2)串联目的是增高使用的工作电压,其要求比并联更高,主要是静态均压及动态均压问题,尤其是动态均压有一定难度。针对这个问题成都佳灵公司提出了容性母板技术1+N只串联动态电压钳位均压方式c若动态均压不佳,将造成串联臂各器件上的Uce电压不等,造成一个器件过电压,影响同一臂的一串器件电击穿。
  总之,IGBT的串、并联应尽量避免,不要以低电压小电流器件,通过串、并联解决高电压大电流的问题,这样的做法往往适得其反,而器件增多可靠性更差,电路也复杂,在不得已的条件下,要慎重。目前使用单个ICBT的电压或电流基本能满足用户的需要,随着电路的改进,将会有更高电压、更大电流的功率器件问世,这是必然的。

  **,IGBT驱动电路要根据具体的IGBT参数设计驱动电路的功率,包括驱动的平均功率与瞬时峰值功率。驱动电路的功率直接决定其能否稳定驱动相应的IGBT,保证IGBT可靠开关动作。驱动电路的功率要根据IGBT具体规格而定,主要涉及栅极电荷QG。第二,IGBT的关断电流拖尾效应也是驱动电路设计所要研究的问题之一。采用负向的栅源电压可将IGBT**关断,从而防止电流拖尾效应。负向的驱动关断电压也可抑制米勒效应,防止IGBT误导通。第三,要保证IGBT低的通态损耗,就必须使其在安全导通时有较低的饱和压降,这样就要求较高的驱动开通电压,但不能超过其限值±20V,因此,选择15V为开通电压。第四,要尽量减小驱动电路的功率,负向的关断电压大小可以有效优化驱动功率。过低的负向关断电压必然造成较大的驱动功率,因此,根据相关数据资料,选择负向10V的电压来可靠关断,且驱动功率也有所减小。第五,IGBT寄生参数对功率回路及驱动电路的影响也必须要重视,输入电容、米勒电容、输出电容等直接影响IGBT的开关动作特性及驱动电路的各项参数。图1所示为IGBT驱动电路的基本构成。
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