GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
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  绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是一种将MOSFET(场效应晶体管)和GTR(电力晶体管)集成于一体的复合型器件。IGBT以其优良的开关特性、易于驱动触发、稳定的热性能、较高的电流承载能力、较高的阻断电压等优点，广泛应用于机车变流器、风能、光伏、UPS、变频器等领域。
  IGBT在变流设备工作中承担着功率变换和能量传输的关键作用。据有关工程应用技术数据显示，由于IGBT损坏而造成的各类变流设备发生故障的概率超过90%。因此，IGBT的安全可靠应用问题已成为国内外相关领域**、学者及工程技术人员的研究热点。IGBT的应用可靠性问题，相当大的比重在于其驱动可靠性及其保护的设计。本文以IGBT驱动为研究对象，从IGBT的驱动电路设计要点、栅极保护电路、电压应力防护以及过流与短路保护等方面展开，给出IGBT可靠驱动的理论分析及电路解决方案。

  英飞凌IGBT模块FS150R17N3E4 的封装和连接技术充分利用了硅的能力，从而产生了一个具有良好成本效益的解决方案。具有输人阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点，英飞凌BSM75GB60DLC应用在变频器的主电路逆变器及一切逆变电路，即DC／AC变换中，如电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。

电气和机械特性：
电气特性 
• 沟槽栅IGBT3 
• Tvjop=150°C
• VCEsat带正温度系数 
 
机械特性 
• 高功率密度 
• 绝缘的基板 
• 标封装
基本参数：IGBT 模块, 600V/600A,EconoDUAL™3封装

英飞凌IGBT模块FF200R12KT4深圳**现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 320 A
封装 / 箱体: 62 mm
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
宽度: 61.4 mm