价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FF450R12KT4正品现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  功率半导体在整个电能供应链中扮演重要角色，20多年来，英飞凌一直走在开发SiC解决方案的**前列，致力于满足用户对节能、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。英飞凌也再次推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，并进一步针对太阳能等可再生能源、轨道交通、输配电等智能制造应用领域持续发力。

  英飞凌工业功率控制事业部总监马国伟强调：“英飞凌推出SiC更多的是看中了长远的发展，我们不在乎半年、一年能马上有一个数字，或者是压多少库存。我们希望现在做三年以后的产品路线图的时候，能够考虑到SiC的一些产品特性，对长期的规划的产品发展有所帮助，在这方面，我认为也是中国企业的长期规划。”

  英飞凌IGBT模块是**的第三代功率模块具有电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它同领域的功率器件。

  为解决中、大功率等级IGBT的可靠驱动问题，本文提出了驱动电路的关键参数设计方案。同时，在变流器极端工况下研究了IGBT的相关特性，提出了极端工况IGBT的保护措施，包括IGBT栅极电压应力防护、VCE电压应力抑制、过流与短路等工况的保护措施及工作原理。对电压应力抑制的关键方案：有源钳位、高级有源钳位、软关断等特性进行理论分析，并给出解决实际问题的应用电路。通过双脉冲试验验证了文中提出的相关理论的科学性以及给出的解决方案的可行性。