品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块BSM100GB60DLC原装现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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英飞凌IGBT模块BSM100GB60DLC原装现货技术参数价格
发布时间:2016-10-25 17:16:29 产品编号:GY-5-106580568 分享
价格:未填
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GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
联系人：吴小姐
咨询电话：0755-33556146
手机专线：15712055037
Email：Info@gongyes.com
更多产品信息请查看我司网站：http://www.gongyes.com
产品提供了工业级的隔离等级（5kVrms）和**的特性集成：包括可选的DC-DC转换器、业内**的去饱和检测、良好的定时特性以及卓越的噪声和瞬变抑制能力。
产品为工业电机驱动、太阳能逆变器、高压电源转换器、不间断电源、以及供暖、通风和空气调节（HVAC）压缩机控制提供了理想的解决方案。其中的许多系统工作时间预期要超过25年，并且运行环境恶劣，而隔离器可能成为这些系统中首要的故障点和寿命限制器件。传统的基于光耦的隔离器受到工作温度范围、噪声干扰和产品寿命的极大限制，而Si828x隔离栅极驱动器采用基于Silicon Labs备受肯定的CMOS隔离技术，能够在整个工业温度范围内工作，支持长达100年的产品使用寿命，满足严格的UL、VDE、CQC和CSA标准。
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深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702
专业IGBT模块代理/批发/零售:三菱、英飞凌、eupec、富士、东芝、三社、三垦、西门康、IR,IXYS,日立，等品牌，电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
英飞凌IGBT模块FF150R12YT3 通过采用沟道构造，使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值)，由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值，因此可轻松实现使用多个BSM200GD60DLC IGBT模块的并联构成。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
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IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
英飞凌IGBT模块FF150R12YT3 通过采用沟道构造，使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值)，由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值，因此可轻松实现使用多个BSM200GD60DLC IGBT模块的并联构成。
IGBT模块工作原理
从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台（反向传输电容 Cres 的放电）时，IGBT3开始建立反向电压 (t2)，(dv/dt)可以通过栅极电阻控制，即栅极电阻增加，dv/dt 会降低。但是，当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时，栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域，栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时，电流变化率才能控制。电感负载时，只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时，(t3)，电流就会通过相关的续流二极管换流。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
• 性能好：
--高驱动电流：4A
--传输速度快：低传播延迟，低延迟和低偏差
• 安全可靠：
-- 耐压等级高：业界**的隔离 - 5kV的增强
--工作问题范围宽：-40°C至125°C
--故障和电源状态反馈给控制器
--专用防止IGBT损坏：去饱和检测
• 集成度高、性价比高：
--集成了DC-DC
英飞凌IGBT模块BSM100GB60DLC原装现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 130 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 445 W
封装 / 箱体: 34MM
**工作温度: + 125 C
商标: Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
宽度: 34 mm
英飞凌IGBT模块深圳代理现货型号
FZ1600R12HP4
FZ1200R12HP4
FZ900R12KP4
FZ600R12KP4
FZ400R12KP4
FF400R12KT3_E
FF300R12KT3_E
FF200R12KT3_E
FF400R12KT3P_E
FF300R12KT3P_E
FF400R12KT3
FF300R12KT3
FF200R12KT3
FF150R12KT3G
FF150R12YT3
--高驱动电流：4A
--传输速度快：低传播延迟，低延迟和低偏差
• 安全可靠：
-- 耐压等级高：业界**的隔离 - 5kV的增强
--工作问题范围宽：-40°C至125°C
--故障和电源状态反馈给控制器
--专用防止IGBT损坏：去饱和检测
• 集成度高、性价比高：
--集成了DC-DC
英飞凌IGBT模块BSM100GB60DLC原装现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 130 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 445 W
封装 / 箱体: 34MM
**工作温度: + 125 C
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栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
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FF400R12KT3_E
FF300R12KT3_E
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FF200R12KT3
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产品为工业电机驱动、太阳能逆变器、高压电源转换器、不间断电源、以及供暖、通风和空气调节（HVAC）压缩机控制提供了理想的解决方案。其中的许多系统工作时间预期要超过25年，并且运行环境恶劣，而隔离器可能成为这些系统中首要的故障点和寿命限制器件。传统的基于光耦的隔离器受到工作温度范围、噪声干扰和产品寿命的极大限制，而Si828x隔离栅极驱动器采用基于Silicon Labs备受肯定的CMOS隔离技术，能够在整个工业温度范围内工作，支持长达100年的产品使用寿命，满足严格的UL、VDE、CQC和CSA标准。
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电话:0755-23490212
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