GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
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  英飞凌第三代 IGBT 有两种系列。后缀为“KE3”的是低频系列，其**开关频率为 1K －8KHz。1200V IGBT 饱和压降 VCE(sat)＝1.7V，**适合于变频器应用。在变频器应用中，公司在中国已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基础上，采用 浅沟槽和优化“FS”层离子注入浓度、厚度以及集电区掺杂浓度等，又开发出高频系列，以 后缀“KT3”为标志。EUPEC“KT3”系列在饱和压降不增加的情况下，开关频率可提高到 15KHz，**适合于 8KHz－15KHz 的应用场合。在开关频率 fK ≥8KHz 应用中，“KT3”比 “KE3”开关损耗降低 20％左右。Infineon／EUPEC 600V 系列 IGBT3 后缀为“KE3”，是高频 IGBT 模块，开关频率可达到 20KHz，饱和压降为 1.50V，**高工作结温可高达 175℃。 Infineon／EUPEC 第三代 IGBT，采用了沟槽栅及电场终止层（FS）两种新技术，带来了 IGBT 芯 片 厚 度 大 大 减 薄 。 传 统 1200V NPT- IGBT 芯片 厚 度 约 为 200μm ， IGBT3 后 缀 为 “KE3”的，厚度为 140μm 左右；后缀为“KT3”芯片厚度进一步减薄到 120μm 左右；600V IGBT3 其芯片厚度仅为 70μm 左右，这样薄的晶片，加工工艺难度较大。Infineon 在超薄晶片加 工技术方面在全球处于**地位。 总之，Infineon／EUPEC IGBT3 采用了当今 IGBT 的**技术（沟槽栅＋电场终止层）， 是目前**异的 IGBT 产品，有些电力半导体厂家称这些技术为第五代，甚至称之为第八代 IGBT 技术。Infineon／EUPEC 称之为第三代，正如在其型号中的电流标称一样，总是按 TC＝ 80℃来标称，让产品来说话，让用户来评判。

  BSM200GB60DLC还专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化。并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。新器件采用的材料环保、不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
 
英飞凌IGBT模块BSM200GB60DLC原装现货技术参数价格
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 230 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 445 W
封装 / 箱体: 34MM
**工作温度: + 125 C
商标: Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
宽度: 34 mm