电子元器件及组件
英飞凌IGBT模块FP15R06W1E3深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-10-25 16:58:48 产品编号:GY-5-106578986  分享
价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FP15R06W1E3深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IGBT经常出现在大功率电子电路产品当中,在很多时候,其好坏直接关系到电路的性能。本文将为大家介绍作为一个新手,在IGBT学习过程中必须掌握的IGBT晶体管基础知识。感兴趣的朋友快来看一看吧。
  1. 什么是工作电压? IGBT的关断电压**高应不超过VCES的80%。
  2. 这是硬或软开关?PT器件更适合于软开关,因其可以减少尾电流,但是,NPT器件将一直工作。
  3.流过IGBT的电流都有什么?首先用简短的语言对用到的电流做一个大致的介绍。对于硬开关应用,频率—电流图很有用,可帮助确定器件是否适合应用。在应用时需要考虑到数据表由于测试条件不同而存在的差异,如何做到这一点稍后将有一个例子。对于软开关应用,可从IC2开始着手。
  4.什么是理想的开关速度?如果答案是“更高,更好”,那么PT器件是**的选择。同样,使用频率—电流图可以帮助选择硬开关应用的器件。
  5.短路承受能力必要吗?对于应用如马达驱动器,答案是肯定的,而且开关频率也往往是相对较低。这时将需要NPT器件。开关电源往往不需要短路耐受力。

英飞凌IGBT模块深圳代理库存
FS35R12KE3G 
FS25R12KE3G 
FZ800R12KS4_B2 
FZ600R12KS4 
FF1400R12IP4 
FF900R12IP4 
FF900R12IP4V 
FF900R12IP4D 
FF900R12IP4DV 
FF600R12IP4 
FF600R12IP4V 
FF1400R12IP4P 
FF900R12IP4P 

  采用IGBT有如下好处:
• 性能好:
--高驱动电流:4A
--传输速度快:低传播延迟,低延迟和低偏差
• 安全可靠:
-- 耐压等级高:业界**的隔离 - 5kV的增强
--工作问题范围宽:-40°C至125°C
--故障和电源状态反馈给控制器
--专用防止IGBT损坏:去饱和检测
• 集成度高、性价比高:
--集成了DC-DC
• 小封装
世强代理Si828x的主要特性:
• Silicon Labs的业界**的隔离 - 5kV的增强
• 驱动电流高达4A
• 低传播延迟,低延迟和低偏差
• -40°C至125°C的温度规格
• 故障和电源状态反馈给控制器
• 米勒钳位防止寄生转
• 去饱和检测,可以防止IGBT损坏
• DC-DC集成开关:Si8281,Si8283(可变FSW和启动)
• DC-DC外部MOSFET:Si8282,Si8284(可变FSW和启动)
• Si8286 引脚兼容Avago的HCPL-316J
Si828x的典型应用:
• 电机驱动变频器
• 太阳能逆变器
• 高功率转换器

英飞凌IGBT模块FP15R06W1E3深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 22 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 81 W
封装 / 箱体: EASY1B
**工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 24
宽度: 33.8 mm
产品技术参数

  **典型的代表是后缀为“DN2”系列。如 BSM200GB120DN2。 “DN2”系列**适用频率为 15KHz-20KHz,饱和压降 VCE(sat)=2.5V。“DN2”系列几乎适 用于所有的应用领域。西门子在“DN2”系列的基础上通过优化工艺,开发出“DLC”系列。 “ DLC ” 系 列 是 低 饱 和 压 降 , ( VCE(sat)=2.1V ) , ** 佳 开 关 频 率 范 围 为 1KHz - 8KHz 。 “DLC”系列是适用于变频器等频率较低的应用场合。后来 Infineon/EUPEC 又推出短拖尾 电流、高频“KS4”系列。“KS4”系列是在“DN2”的基础上,开关频率得到进一步提高, **使用开关频率为 15KHz-30KHz。**适合于逆变焊机,UPS,通信电源,开关电源,感应 加热等开关频率比较高(fK≥20KHz)的应用场合。在这些应用领域,将逐步取代“DN2”系 列。EUPEC 用“KS4”芯片开发出 H—桥(四单元)IGBT 模块,其特征是内部封装电感低, 成本低,可直接焊在 PCB 版上(注:这种结构在变频器应用中早已成熟,并大量使用)。总 之,EUPEC IGBT 模块中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工艺,平面栅结构,是第二 代 NPT-IGBT。

  然而值得提出来的是,在我国,IGBT的研发系统和网络还未被完善,进而导致该产品无法在国内实现自给自足,其中**为核心的IGBT芯片还停留在海外采购进口的阶段,而 IGBT模块生产在我国的程序总共分为元件进口、工业加工、封装出厂几个部分,关键环节中的部件通过采购再进入我国加工工厂进行传统的工业级标准模块封装。而在下游企业,即是说IGBT模块成品加工制造企业,在本文主要是电动汽车生产制造企业,,如我们所熟知的比亚迪和南车时代都已经开始这样的手段来进行车用大功率的IGBT模块研究,以实现从模块到整车的自主生产。
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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
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