GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
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  IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。　　

  IGBT模块现在在电动汽车研究上的应用主要运用于两个汽车子系统当中，通过不同功率的模块采用，将IGBT运用在逆变器当中，以实现不同系统的电路集成和安全控制。可以说IGBT模块核心研发技术在我国的发展进度将直接影响到我国国产电动汽车制造商，在提倡采用新动能研发实现节能减排的近日，如何打造国产电动汽车的事业发展进度。

产品特点：
•功能强大的单片体二极管具有极低的正向电压。
•体二极管钳位电压负。
•沟槽场终止技术， 1600 V应用提供：- 参数分布非常紧凑- 高耐用性，温度稳定的行为。
•NPT技术提供因易并行交换能力在V正温度系数CE （ SAT ）。
•低EMI。
•根据JEDEC合格1为目标的应用。
•无铅镀铅;符合RoHS标准。
•完整的产品范围和PSpice的模型。

英飞凌IGBT模块FP20R06W1E3**原装现货技术参数价格
价格：1
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件
封装外形 WAFER/裸芯片 材料 MES金属半导体
开启电压 11（V） 夹断电压 11（V）
低频跨导 3（μS） 极间电容 3（pF）
低频噪声系数 3（dB） **漏极电流 3（mA）
**耗散功率 3（mW）
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 27 A
封装 / 箱体: EASY1B
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 24
宽度: 33.8 mm


英飞凌IGBT模块现货型号
FD800R17KF6C-B2 TT18N16
FF100R12KS4 TT131N12KOF
FF150R12KE3 TT250N16KOF
FF150R12KE3G T508N16TOF
FF150R12KE3G T1078N0475F
FF150R12KS4 TT250N12KOF
FF200R12KE3 TT251N14KOF
FF200R12KS4 TT330N14KOF
FF200R12KT3 TT330N16KOF
FF300R12KE3 TT425N16K0F
FF300R12KS4 TT500N16K0F
FF300R12KT3 TT500N18K0F
FF400R06KE3 TT570N16570A