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  从功率MOSFET IGBT的结构演变在80年代期间，响应于需要增加的阻断电压。这是通过增加一个额外的PN结到MOSFET架构的漏极，形成双极晶体管结构和整体NPNP半导体实现。与目前制造大多数功率晶体管，该晶体管的结构是垂直的而不是水平的，与上述PNP双极性晶体管放置在管芯的背面侧的集电极。 AP或P +的浴盆，其中包含N掺杂阱连接的源极/发射极和栅极区。电流流经该浴池进入一个比较宽的N掺杂漂移区进入收集器。然而，因为它有一个MOSFET的绝缘栅，该装置作为一个整体保持电压控制而不是电流控制。互锁双极晶体管的增益需要被仔细控制以抑制操作作为NPNP晶闸管。
  虽然它一般提供较高的电压隔离比的MOSFET，一个IGBT的架构意味着它不能切换为快，这限制了在逆变器中使用的开关频率，尽管在设备施工的**进展已经推动有效开关频率向100千赫。效率的IGBT是由MOSFET的比低通态压降提高。此外，高电流密度可以更高的额定功率，以用更小的芯片比同等MOSET，从而提高了成本效益达到。

  英飞凌 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

气和机械特性：
电气特性 
• 沟槽栅IGBT3 
• Tvjop=150°C
• VCEsat带正温度系数 
 
机械特性 
• 高功率密度 
• 绝缘的基板 
• 标封装

英飞凌IGBT模块FP30R06W1E3**现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 37 A
封装 / 箱体: EASY1B
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 24
宽度: 33.8 mm