价格:未填
品牌:英飞凌
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信息标签:英飞凌IGBT模块FF200R06YE3原装现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
感应加热电器通常采用谐振拓扑结构,需要单管IGBT在18 kHz至40 kHz的开关频率范围内表现出**性能。英飞凌科技股份公司推出能够满足这些需求的全新单管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能经专门优化,可满足高性价比电磁炉和电磁电饭煲的需求。
IGBT是集合了MOSFET和GTR的优点,有耐压高、电流大、工作频率高、通态压降低、驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点。且它的制作技术比较成熟,应用领域非常广泛,所以比较受需要**低损耗领域的青睐 。
英飞凌IGBT模块FS50R07U1E4是德国英飞凌公司生产和发行的带有温度检测NTC采用第四代高速沟槽栅/场终止和第四代发射极控制二极管技术的EasyPIM™模块。FS50R07U1E4采用紧凑型设计、低热阻的三氧化二铝衬底、模块有特定集成的安装夹使安装坚固。在辅助逆变器、风电传送、空调、三电平设计领域运用很广泛。
电气特性
• 低开关损耗
• 沟槽栅IGBT4
• VCEsat带正温度系数
• 低VCEsat
英飞凌IGBT模块FF200R06YE3原装现货技术参数价格
加个:1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 220 A
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 55.9 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 20
宽度: 45.6 mm
在伺服控制中,安全和保护是ADI优先考虑的角度,其iCoupler®数字隔离器产品可满足高压安全隔离的要求。ADI还具有业界**的ADC技术,包括隔离ADC产品,可以很好地满足高精度控制的要求。而ADI提供的高精度RDC可以满足任何使用旋转变压器的位置检测场合,哪怕是高污染及强震动的工业及汽车应用环境。
除此之外,ADI的混合信号控制处理器ADSP-CM40x在应对越来越高的高效需求时还有着非常出色的表现。ADSP-CM40x不仅集成了行业**一款精度高达13位的嵌入式双通道16位模数转换器,还搭载了一枚240-MHz浮点ARM® Cortex™-M4处理器内核。设备制造商为提高产品的能源效率和性能,要求高精度、伺服闭环控制、电机驱动、太阳能光伏(PV)逆变器和其他嵌入式工业应用。ADSP-CM40x凭借较高的精度模拟转换性能,可以很好地实现这些目标。
ADSP-CM40x不但具有出色的模拟转换性能和高达380纳秒的转换速度,同时具备多种其他特性,比如,它具有全面的sinc滤波器实现模式,可以直接与用于采样电阻式电流检测系统架构中的隔离式Σ-Δ型调制器(AD7400A/AD7401A)接口。采用片内sinc滤波器可以节省以FPGA实现同一功能所需要的成本和工程资源。