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  IGBT是集合了MOSFET和GTR的优点，有耐压高、电流大、工作频率高、通态压降低、驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点。且它的制作技术比较成熟，应用领域非常广泛，所以比较受需要**低损耗领域的青睐 。 

  IGBT比较多用于感应加热电源中，感应加热电源有个重要的谐振逆变器，一般采用IGBT比较合适。一般其他地方有需要用到谐振逆变器的地方都是采用IGBT进行设计的。

  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。  

英飞凌IGBT模块深圳库存
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英飞凌IGBT模块FF400R06KE3**原装现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 500 A
封装 / 箱体: 62 mm
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
宽度: 61.4 mm


使用中的注意事项
    由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；
在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；
尽量在底板良好接地的情况下操作。   专业销售各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！