价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FS50R07U1E4原装现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
英飞凌IGBT模块FS50R07U1E4是德国英飞凌公司生产和发行的带有温度检测NTC采用第四代高速沟槽栅/场终止和第四代发射极控制二极管技术的EasyPIM™模块。FS50R07U1E4采用紧凑型设计、低热阻的三氧化二铝衬底、模块有特定集成的安装夹使安装坚固。在辅助逆变器、风电传送、空调、三电平设计领域运用很广泛。
电气特性
• 低开关损耗
• 沟槽栅IGBT4
• VCEsat带正温度系数
• 低VCEsat
英飞凌IGBT模块FS50R07U1E4原装现货技术参数价格
加个:1
基本参数:IGBT模块 IGBT-MODULE,1200V/45A EasyPIM™封装
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体
开启电压 11(V) 夹断电压 11(V)
低频跨导 2(μS) 极间电容 2(pF)
低频噪声系数 2(dB) **漏极电流 2(mA)
**耗散功率 2(mW)
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Sixpack
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 230 W
封装 / 箱体: SmartPACK1
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 30
零件号别名: SP000939168
IGBT是集合了MOSFET和GTR的优点,有耐压高、电流大、工作频率高、通态压降低、驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点。且它的制作技术比较成熟,应用领域非常广泛,所以比较受需要**低损耗领域的青睐 。