GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
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  英飞凌FP50R07N2E4整流二极管是针对中高端服务器应用和电信开关电源，电脑Silverbox和照明应用，更进一步太阳能逆变器和UPS系统。随着新一代5这些应用程序在提高效率，而且还可以降低电磁干扰，不仅造福，提高了系统的可靠性和成本/尺寸节省由于减少了散热需求。一个重要的成就与第5代是工业实现细化处理，允许降低晶圆厚度几乎1/3 ，同时保持公认的质量和产量水平。DD435N28K整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管流电流较大,多数采用面接触塑料封装。

  工作原理
  采用IGBT逆变电源技术交流→直流→交流→直流，50Hz交流电经全桥整流变成直流，由IGBT组成的PWM高频交换部分将直流电逆变成20Hz的高频矩形波，经非晶高频变压器耦合、整流滤波后形成稳定的直流电源。数字微处理器作为脉冲宽度调制（PWM）的相关控制器通过对功率自动补偿跟踪控制，对输出电流、电压做多参数、多信息提取与分析，达到提前对输出补偿和调整，使输出的电流、电压始终处于饱和状态，解决了以往线绕变压器，因电流、电压不稳定，输出功率不足的难题。

英飞凌IGBT模块FP50R07N2E4原装现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 580 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2400 W
封装 / 箱体: 62 mm
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
宽度: 61.4 mm