IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管（如图1所示）。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：
当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现，只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别，降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极**电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。

英飞凌IGBT单管SKW30N60HS现货应用技术参数价格
价格：1
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
**工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极**连续电流 Ic: 41 A
高度: 20.95 mm
长度: 15.9 mm
**小工作温度: - 55 C
系列: SKW30N60
工厂包装数量: 240
宽度: 5.3 mm
零件号别名: SKW30N60HSFKSA1 SKW30N60HSXK SP000013744
单位重量: 38 g