IGBT模块可以看做是IGBT单管的功能改进和升级，它们的运用领域基本一样，但是IGBT模块由于集成了各种驱动保护电路，安装是使用上大大的方便了用户，采用新的封装技术后，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的运用领域！
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。

检测方法
1．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。**在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
2．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
3．检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。

英飞凌MOS管IPW65R041CFD现货应用技术参数价格
价格：1
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
**工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极**连续电流 Ic: 40 A
高度: 20.95 mm
长度: 15.9 mm
**小工作温度: - 40 C
系列: IKW20N60
工厂包装数量: 240
宽度: 5.3 mm
零件号别名: IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TXK SP000054886
单位重量: 38 g