品牌:富士
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信息标签:富士IGBT模块6MBI180VB-120-55现货参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
富士V系列 高速,低导通压降Tj=175℃ 电流在IC:80℃标称,用于变频器。
富士2单元600V变频器用IGBT模块现货型号参数
产品型号 |
参数说明 |
宽 |
2MBI100VA-060 |
2单元,100A/600V |
34mm |
2MBI150VA-060 |
2单元,150A/600V |
34mm |
2MBI200VA-060 |
2单元,200A/600V |
34mm |
2MBI300VB-060 |
2单元,300A/600V |
45mm |
2MBI400VB-060 |
2单元,400A/600V |
45mm |
2MBI600VE-060 |
2单元,600A/600V |
80mm |
2MBI75VA-120 |
2单元,75A/1200V |
34mm |
2MBI100VA-120 |
2单元,100A/1200V |
34mm |
2MBI150VA-120 |
2单元,150A/1200V |
34mm |
2MBI150VB-120 |
2单元,150A/1200V |
45mm |
2MBI200VH-120 |
2单元,200A/1200V |
62mm |
2MBI300VH-120 |
2单元,300A/1200V |
62mm |
2MBI450VH-120 |
2单元,450A/1200V |
62mm |
2MBI300VN-120 |
2单元,300A/1200V |
62mm |
2MBI450VN-120 |
2单元,450A/1200V |
62mm |
2MBI600VN-120 |
2单元,600A/1200V |
62mm |
6MBI300VN-120 |
6单元,300A/ 1200V |
162mm |
2MBI75VA-170 |
2单元,75A/1700V |
34mm |
2MBI100VA-170 |
2单元,100A/1700V |
34mm |
2MBI150VH-170 |
2单元,150A/1700V |
62mm |
2MBI200VH-170 |
2单元,200A/1700V |
62mm |
2MBI300VH-170 |
2单元,300A/1700V |
62mm |
2MBI300VN-170 |
2单元,300A/1700V |
62mm |
2MBI450VN-170 |
2单元,450A/1700V |
62mm |
产品封装尺寸结构图