价格:未填
品牌:Intersil
发货:3天内
信息标签:原装Intersil军用宇航级芯片HS9-1840ARH-Q技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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 Intersil公司主营产品包括电源管理，放大器和缓冲器，音频和视频，数据转换器，接口电路，开关/多路复用器/交叉矩阵，时钟和数字器件，航空航天及**器件等。Intersil的产品广泛应用于各个领域，包括汽车电子，计算机，消费电子，工业应用，医疗，安全监控，LED照明等。
  随着电力电子器件和高频逆变电子技术的高速发展， 各种采用大功率逆变技术的电源变换装置被大量应用于各种行业， 如变频器、电镀、电弧炉、UPS、电气化机车、通信电源、电焊机等， 而IGBT 由于其集双极型功率晶体管和功率MOSFET 的优点于一体的相对优异的综合电性能指标， 在上述电源变换装置中被广泛使用。

  芯片（chip）就是半导体元件产品的统称。是集成电路（IC, integrated circuit）的载体，由晶圆分割而成。
硅片是一块很小的硅，内含集成电路，它是计算机或者其他电子设备的一部分。
IC
  就是集成电路，泛指所有的电子元器件，是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。它是电子设备中**的部分，承担着运算和存储的功能。集成电路的应用范围覆盖了军工、民用的几乎所有的电子设备。

  原装Intersil**宇航级芯片

HS1-6664RH-Q	5962F9562601VXC	INTERSIL	100		14+	6-8周
HS9-1840ARH-Q	5962F9563002VYC	INTERSIL	190		11+	现货
HS1B-0546RH-Q	5962D9569301VXC	INTERSIL	100		14+	现货
HS1B-0547RH-Q	5962D9569302VXC	INTERSIL	200		14+	现货
HS1B-0548RH-Q	5962D9569401VEC	INTERSIL	200		14+	现货
HS1-82C54RH-Q	5962R9571301VJC	INTERSIL	50		14+	现货
HS1-82C55ARH-Q	5962R9581901VQC	INTERSIL	50		14+	现货
HS1-201HSRH-8	5962F9961801QEC	INTERSIL	300		14+	14周
HS9-26C31RH-Q	5962F9666301VXC	INTERSIL	300		14+	14周
HS9-26C32RH-Q	5962F9568901VXC	INTERSIL	300		14+	14周
HS1-26C31RH-Q	5962F9666301VEC	INTERSIL	300		14+	14周
HS1-26C32RH-Q	5962F9568901VEC	INTERSIL	300		14+	14周
ISL705ARHVF	5962R1121301VXC	INTERSIL	100		14+	14周
ISL706ARHVF	5962R1121304VXC	INTERSIL	100		13+	14周
XQR17V16CC44V	R17V16CC44V	XILINX	300		13+	现货
XQ2V3000-4CG717M	XQ2V3000-4CG717M	XILINX	40		13+	现货

原装Intersil**宇航级芯片HS9-1840ARH-Q技术参数价格：
价格：1
制造商: Intersil
产品种类: 多路器开关 IC
通道数量: 1 Channel
导通电阻—**值: 3 kOhms
运行时间—**值: 1.25 us
空闲时间—**值: 1.25 us
工作电源电压: +/- 15 V
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: CFPAK
商标: Intersil
高度: 2.92 mm (Max)
长度: 18.8 mm (Max)
**小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1600 mW
电源电流—**值: +/- 0.5 mA
电源类型: Dual Supply
宽度: 13.21 mm (Max)

芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。
精密的芯片其制造过程非常的复杂
精密的芯片其制造过程非常的复杂
首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”
1、 芯片的原料晶圆
晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。
2、晶圆涂膜
晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。
3、晶圆光刻显影、蚀刻
该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上**份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。
4、掺加杂质
将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。
具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这**程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。 更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。
5、晶圆测试
经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。
6、封装
将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。
7、测试、包装
经过上述工艺流程以后，芯片制作就已经全部完成了，这一步骤是将芯片进行测试、剔除不良品，以及包装。