海飞乐技术高低压P沟道MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 应用领域 | |
| TYP | MAX | ||||
| -20 | -2.8 | 90m | 112m | SOT-23 | 逆变、保护、信号、小电机 |
| -20 | -4.1 | 40m | 52m | SOT-23 | |
| -20 | -5 | 40m | 52m | SOT-23-6 | |
| -20 | -4 | 35m | 45m | SOT-23 | |
| -20 | -9 | 10m | 13m | SOP-8 | |
| -20 | -9 | 10m | 13m | SOP-8(双岛） | |
| -30 | -4.1 | 45m | 65m | SOT-23 | |
| -30 | -4.1 | 48m | 55m | SOT-23 | |
| -30 | -5.1 | 43m | 55m | SOP-8 | |
| -30 | -8 | 23m | 30m | SOT-23 | |
| -30 | -5.1 | 43m | 55m | SOP-8(双） | |
| -30 | -9 | 20m | 30m | SOP-8 | |
| -30 | -12 | 11m | 14m | SOP-8 | |
| -30 | -12 | 11m | 14m | SOP-8(双岛） | |
| -30 | -20 | 29m | 40m | TO-251/252 | |
| -30 | -25 | 6m | 8.5m | SOP-8 | |
| -30 | -30 | 13m | 18m | TO-251/252 | |
| -30 | -40 | 10m | 13m | TO-252 | |
| -30 | -30 | 11.5m | 15m | QFN | |
| -30 | -50 | 4.6m | 7m | TO-251/252/QFN | |
| -40 | -5 | 75m | 85m | SOT-23 | |
| -40 | -12 | 26m | 35m | TO-251/252 | |
| -40 | -40 | 12m | 14m | TO-251/252 | |
| -40 | -14 | 9m | 11m | SOP-8 | |
| -60 | -4 | 100m | 120m | SOT-23 | 保护、小电机 |
| -60 | -8 | 64m | 80m | SOT-23 | 电机、应急电源、UPS |
| -60 | -20 | 64m | 80m | TO-251/252 | |
| -60 | -25 | 37m | 45m | TO-251/252 | |
| -60 | -50 | 23m | 28m | TO-251/252/SOP-8 | |
| -60 | -65 | 13m | 18m | TO-251/252/SOP-8 | |
| -100 | -13 | 285m | 300m | TO-251/252 | |
| -100 | -13 | 170m | 200m | TO-251/252 | |
| -100 | -30 | 45m | 55m | TO-251/252/220 | |
| -200 | -5 | 0.8 | 1.5 | TO-251/252/220 |
什么是pmos
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压--值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的--值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
在反向保护电路中的应用
反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端，PMOS完全截止