海飞乐技术高压电源用N沟道600V MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 应用领域 | |
| 600 | 0.8 | 11 | 15 | TO-92/252 | 高压AC DC电源 |
| 600 | 1.5 | 7.5 | 10 | SOT-223 | 高压AC DC电源 |
| 600 | 1.5 | 7 | 9 | TO-251/252 | 高压AC DC电源 |
| 600 | 2 | 3.6 | 4.3 | TO-251/252 | 高压AC DC电源 |
| 600 | 4 | 1.8 | 2.1 | TO-251/252/220/220F | 高压AC DC电源 |
| 600 | 6 | 1.5 | 1.7 | TO-252 | 高压AC DC电源 |
| 600 | 7 | 0.9 | 1.1 | TO-251/252/220/220F | 高压AC DC电源 |
| 600 | 10 | 0.66 | 0.8 | TO-251/252/220/220F | 高压AC DC电源 |
| 600 | 12 | 0.5 | 0.6 | TO-220/220F | 高压AC DC电源 |
| 600 | 13 | 0.45 | 0.55 | TO-220/220F | 高压AC DC电源 |
| 600 | 16 | 0.38 | 0.45 | TO-220/220F | 高压AC DC电源 |
| 600 | 20 | 0.3 | 0.34 | TO-220/220F/3P | 高压AC DC电源 |
| 600 | 25 | 0.23 | 0.29 | TO-220/220F | 高压AC DC电源 |
| 600 | 25 | 0.185 | 0.24 | TO-247 | 高压AC DC电源 |
| 600 | 35 | 0.11 | 0.15 | TO-3P | 高压AC DC电源 |
MOS场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（--可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
CMOS场效应管的制造工艺极限
·半导体的光刻工艺
这已经被证明现代半导体光刻工艺是有这个能力使人们随器件按比例缩小而制造超大规模集成电路(ULSI)。但是，要用今天的光刻工艺来制造在纳米范围的CMOS场效应管是一个非常重要的待解决问题。经典的光学光刻工艺的精确度由于运用了改进的数字快门镜头和较短波长的激光源已经超过了理论预测的很多倍。现在，--进的用于大规模制造集成电路的光刻设备是用波长为193纳米的激光源[9]。一些光刻精确度的改进技术，例如可控相位变化技术等，已使我们有能力让图形的精确度在100纳米的这个范围内。这个技术运用的是光学的干涉原理到硅晶片上的图形变化比较大的区域。因此，它不是几何图形独立的，可控相位变化技术不能用于整个芯片中所有器件的制造。对于小于100纳米的范围，经典的光学光刻技术只能用在精度要求不高的地方，而精度要求高的地方，我们必须用X射线光刻或电子束光刻技术。