海飞乐技术目前产品范围包括有：MOS管、MOS模块、快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、碳化硅二极管、IGBT等，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！ 

海飞乐技术N沟道高压500V MOSFET场效应管现货选型

Voltage (V)

Current (A)

Rdson (Ohm)

Package

应用领域

500	1	13	16	SOT-23	高压AC DC电源
500	3	2.4	3.5	TO-251/252	电机
500	5	1.2	1.5	TO-251/252/220	高压AC DC电源
500	8	0.6	0.8	TO-251/252/220F	高压AC DC电源
500	13	0.47	0.55	TO-220/220F	高压AC DC电源
500	13	0.34	0.45	TO-220/220F	高压AC DC电源
500	15	0.29	0.35	TO-220/220F	高压AC DC电源
500	18	0.265	0.31	TO-220/220F	高压AC DC电源
500	18	0.265	0.31	TO-3P	高压AC DC电源\焊机
500	20	0.265	0.31	TO-247	高压AC DC电源\焊机
500	20	0.21	0.23	TO-3P	高压AC DC电源\焊机
500	21	0.21	0.23	TO-220/220F	高压AC DC电源\焊机
500	25	0.17	0.2	TO-247	高压AC DC电源\焊机
500	25	0.145	0.18	TO-3P	高压AC DC电源\焊机
500	30	0.145	0.18	TO-247	高压AC DC电源\焊机
500	30	0.17	0.2	TO-220/220F	高压AC DC电源
500	40	0.082	0.1	TO-3P	高压AC DC电源
500	100	0.04	0.055	SOT-227B	高压AC DC电源

  场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
  一般来说，为了减小MOS管的短沟道效应， 器件的耗尽层的厚度和源极与漏极的半导体结的厚度要尽可能的薄。而器件的耗尽层的厚度和源极与漏极半导体结的厚度的形成是通过离子注入的方式控制要被注入的掺杂原子到被选中的区域和限制它们的热运动。当器件的尺寸减小时，理论计算要求现代MOS 管有一个较为陡峭的掺杂剖面。在MOS管的制造过程中，这个陡峭的掺杂剖面要求对于控制耗尽层厚度和源极与漏极半导体结厚度的形成是一个极大的挑战。在这方面，SOI MOS场效应管结构是一个--的选择。但是这种结构也有它的局限性，例如：高电场下的导电子的迁移率的减小和量子化阈值电压的变化

·器件连线的分布电阻与分布电容
  与器件的按比例缩小原理相反，器件连线的分布电阻和分布电容随连线宽度的减小而增加。因此，这也从电路的工作速度和集成度方面对按比例缩小的CMOS工艺构成一个限制。为了克服连线分布电阻的问题，在几年前，铜连线的工艺被引进。而对于分布电容人们也研究了很多低介电常数的连线与硅基片的绝缘层接构。今天，由于器件连线分布电阻电容在不同器件之间所引起的时间滞后效应一直是现代CMOS工艺发展的主要限制之一。如果可能，一个有潜力的发展是用超导连线。