海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！ 

海飞乐技术110V开关用N沟道250V MOSFET场效应管现货选型

Voltage (V)	Current (A)	Rdson (Ohm)		Package	应用领域
		TYP	MAX

250	18	150m	180m	TO-252/220/220F	110V开关，逆变器、通信电源、LED
250	33	100m	130m	TO-220/220F	110V开关，逆变器、通信电源、LED
250	44	58m	70m	TO-220/220F	110V开关，逆变器、通信电源、LED
250	59	45m	50m	TO-247	110V开关，逆变器、通信电源、LED
250	69	39m	45m	TO-247	110V开关，逆变器、通信电源、LED
250	90	25m	35m	TO-3P	110V开关，逆变器、通信电源、LED

  场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，它是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。由于它仅靠半导体中多数载流子导电，有时被称为单极性晶体管。场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，使之广泛地应用于各种电子电路之中。

  所有的FET都有栅极g(gate)、漏极d(drain)、源极s(source)三个极，分别对应双极性晶体管的基极b(base)、集电极c(collector)和发射极e(emitter)。除了结型场效应管外，所有的FET也有第四端，被称为体(body)、基(base)、块体(bulk)或衬底(substrate)。P区与N区交界面形成耗尽层，而漏极d与源极s间的非耗尽层区域称为导电沟道。

  根据MOS管的微电子学原理，在用离子注入时，掺杂原子在器件沟道位置的随机变化将影响MOS管电参数的变化。当MOS管的尺寸减小时，掺杂原子在器件中的平均数量将减小。作为一个结果，掺杂原子数目和它们在器件沟道中的所在位置的随机变化将增加[7]。图5 将说明这种情况。在标准的制造工艺中，掺杂原子通过随机散射过程在沟道中找到它们的所在位置。因此，掺杂原子在沟道中的数目和排列的随机效应是器件的固有效应，人们不能在标准的制造工艺中把它们取消掉。这个效应将导致器件和整个电路的性能, 例如电流的驱动能力和传输滞后的随机变化。其中掺杂原子在沟道中的数目和排列的随机效应也将引起MOS管阈值电压的随机变化。这些将直接导致由于沟道长度减小而使器件的性能变坏。